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24N60DM2-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 24N60DM2-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 24N60DM2-VB TO220F

24N60DM2-VB TO220F概述


    产品简介


    24N60DM2-VB 是一款高性能的 N 沟道 650 V (D-S) 超级结功率 MOSFET。这种器件适用于多种高电压和高功率应用,包括服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯 HID 和荧光灯镇流器)。此外,它还广泛应用于工业领域。

    技术参数


    - 漏源击穿电压 (VDS):650 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2 V 至 5 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS):1 μA @ 520 V, VGS = 0 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.19 Ω @ VGS = 10 V, ID = 11 A
    - 输入电容 (Ciss):2322 pF @ VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz
    - 输出电容 (Coss):105 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):71 nC @ VGS = 10 V, ID = 11 A, VDS = 520 V
    - 反向恢复时间 (trr):160 ns @ TJ = 25 °C, IF = IS = 11 A, dI/dt = 100 A/μs, VR = 25 V
    - 最大连续漏电流 (ID):20 A @ TC = 100 °C
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):根据最大结温限制
    - 最大单次脉冲雪崩能量 (EAS):360 mJ
    - 热阻 (RthJA):62 °C/W
    - 最大工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 到 +150 °C

    产品特点和优势


    24N60DM2-VB 的主要特点包括低导通电阻 (RDS(on))、低栅极电荷 (Qg)、低输入电容 (Ciss) 以及高雪崩耐受能力。这些特点使其具有低开关损耗和传导损耗,非常适合高频开关应用。在具体应用中,它的这些特性可以显著提升效率,降低热耗散,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    24N60DM2-VB 广泛应用于多种高电压和高功率场合。例如,在服务器和电信电源供应系统中,它可以提高系统的整体能效并减少热量生成;在开关模式电源供应器中,它可以提供更快的开关速度,从而提高效率;在高亮度放电灯具和荧光灯镇流器中,它有助于实现更稳定的光输出。对于这些应用,推荐使用适当的散热措施,以确保器件能在最高结温范围内稳定运行。

    兼容性和支持


    24N60DM2-VB 可以与大多数常见的电源系统和驱动电路兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南、测试方法和故障排除技巧。此外,客户还可以通过公司的服务热线和官方网站获取进一步的技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的栅极驱动电阻 (Rg)?
    - 解决方案:栅极驱动电阻的选择应确保足够的驱动电流和适当的驱动时间,通常选择 10 Ω 到 50 Ω 之间,具体值取决于具体的电路需求和工作频率。

    2. 问题:如何处理高温环境下的热管理问题?
    - 解决方案:应采用有效的散热设计,如散热片或风扇冷却,确保器件工作温度不超出安全范围。

    总结和推荐


    总体而言,24N60DM2-VB 是一款高可靠性、高性能的 N 沟道超级结功率 MOSFET。其出色的电气特性和广泛的应用范围使其成为许多高电压和高功率应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品用于需要高能效和稳定性要求的应用场合。

24N60DM2-VB TO220F参数

参数
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

24N60DM2-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

24N60DM2-VB TO220F数据手册

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24N60DM2-VB TO220F封装设计

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