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7N60-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: 7N60-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 7N60-VB TO252

7N60-VB TO252概述


    产品简介


    产品类型:N-Channel Power MOSFET(沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:本产品是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),使其能够有效地减少开关和导通损耗。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明系统,包括高强度放电灯(HID)和荧光灯
    - 工业控制设备

    技术参数


    基本规格:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1μA
    - 最大连续漏极电流 (ID): 7A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 97mJ
    - 最高结温 (TJ): 150°C
    - 绝对最大额定结到壳体热阻 (RthJC): 0.6°C/W
    - 热电阻至环境温度 (RthJA): 63°C/W
    电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.7Ω @ VGS=10V
    - 总栅极电荷 (Qg): 13nC
    - 输入电容 (Ciss): 147pF @ VGS=0V, VDS=100V
    - 输出电容 (Coss): 18pF
    - 反向传输电容 (Crss): 4pF
    其他关键参数:
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97mJ
    - 最大脉冲栅极驱动电流 (IDM): 28A
    - 最大功率耗散 (PD): 94W
    - 线性降额系数: 0.28°C/W

    产品特点和优势


    1. 低RDS(on):本产品具有非常低的导通电阻,这使其在各种电源应用中表现出卓越的效率。
    2. 低Qg:低栅极电荷可减少驱动电路的功率消耗,同时提高开关速度。
    3. 低Ciss:输入电容低意味着开关过程中的能量损失更少。
    4. 良好的散热能力:热电阻小,保证了设备在高温环境下仍能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在服务器电源系统中,用于高效转换电力。
    - 在照明系统中,特别是在高能耗的HID灯和荧光灯中作为主控开关。
    使用建议:
    - 在高频率开关的应用场合,选择适当的栅极电阻以优化驱动波形。
    - 在高温环境中使用时,注意外部散热设计,确保MOSFET不会过热。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品与多种常见的封装形式兼容,如TO-220AB, TO-252, 和 TO-251。
    支持:
    - 厂商提供详细的用户手册和技术文档。
    - 客户可通过400-655-8788热线获得专业的技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:在高温环境下,MOSFET是否会失效?
    - 解决方案:使用时需注意外部散热设计,确保结温不超过150°C,可选择外加散热片或水冷系统。
    问题2:如何测试MOSFET的雪崩能量?
    - 解决方案:通过使用瞬态脉冲发生器进行测试,记录并测量在达到雪崩电压时的电流和电压变化。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 该MOSFET产品凭借其优异的性能指标和广泛的应用范围,在服务器电源、电信设备以及工业控制领域有着显著的应用价值。
    - 该产品的高可靠性、低功耗和高效率等特点,使其成为许多电子应用中的首选元件。
    推荐:
    - 我们强烈推荐此款MOSFET给那些寻求高效能和高可靠性的工程师和设计师。无论是服务器电源还是照明系统,该产品都能展现出色的表现。

7N60-VB TO252参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -

7N60-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

7N60-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 7N60-VB TO252 7N60-VB TO252数据手册

7N60-VB TO252封装设计

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500+ ¥ 3.3111
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