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4N0604-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: 4N0604-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N0604-VB TO263

4N0604-VB TO263概述


    产品简介


    4N0604-VB TO263 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要应用于电源转换、马达控制、电池管理等领域。这款MOSFET具有高效率、低导通电阻等特点,非常适合用于高功率密度的应用场合。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): ≤ 1 μA (VDS = 60 V, TJ = 125 °C)

    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID): 65 A (TC = 125 °C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 65 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 211 mJ

    - 温度参数
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 °C 至 +175 °C
    - 热阻参数
    - 结点到空气热阻 (RthJA): 40 °C/W (当安装在1英寸正方形PCB上时)
    - 结点到外壳热阻 (RthJC): 0.65 °C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 提供出色的开关性能和更低的导通电阻,从而提高能效。
    - 低热阻封装: 有效的散热设计保证了长时间稳定运行。
    - 100% Rg 和 UIS 测试: 确保产品质量和可靠性。
    - 宽工作温度范围: 适用于各种极端环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源: 由于其高效率和低损耗特性,非常适合用于AC/DC转换器。
    - 电机驱动: 在电机控制系统中,能够有效降低功耗并提供快速响应。
    - 电池管理: 作为电池保护电路的一部分,可以有效防止过载和短路。
    使用建议
    - 散热设计: 考虑到高工作电流可能导致温升,需要确保良好的散热措施,例如使用大面积散热片或加装散热风扇。
    - 布局优化: 布局时应尽可能缩短源极引脚到PCB的路径,以减少寄生电感。
    - 并联使用: 在需要更高电流的应用中,可以通过并联多个4N0604-VB来实现,但需注意均流设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品采用TO-263封装,与市场上常见的电源模块和PCB布局相兼容。
    - 技术支持: VBsemi提供详尽的技术文档和支持,包括在线论坛、技术支持热线(400-655-8788)等渠道。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中发热严重。
    - 解决方法: 检查散热设计,增加散热片面积或安装散热风扇。

    2. 问题: 无法正常关断。
    - 解决方法: 检查栅极驱动电路,确保栅极驱动电压足够且持续时间足够长。

    3. 问题: 导通电阻异常大。
    - 解决方法: 确认工作环境温度在合理范围内,检查是否正确接线并检查是否有物理损坏。

    总结和推荐


    4N0604-VB TO263 是一款高效、可靠的N沟道功率MOSFET,适用于多种高功率密度的应用场景。其优秀的热阻特性、宽工作温度范围和高电流承载能力使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电源管理和控制系统的工程师们。

4N0604-VB TO263参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -

4N0604-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N0604-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N0604-VB TO263 4N0604-VB TO263数据手册

4N0604-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.4551
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