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126N10N-VB TO220F

产品分类:
产品描述:
供应商型号: 126N10N-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体  126N10N-VB TO220F

126N10N-VB TO220F概述

    126N10N-VB TO220F N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    126N10N-VB TO220F 是一款适用于各种电子应用的高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的 TrenchFET® 技术,具有低导通电阻和高击穿电压,能够在高达 175°C 的温度下正常工作。这款 MOSFET 主要应用于电源转换、电机驱动、照明系统等领域,具有广泛的应用范围和市场前景。

    2. 技术参数


    - 主要技术规格
    - 漏源电压(VDS):100V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(TJ = 150°C):25°C 时为 90A;125°C 时为 70A
    - 脉冲漏电流(IDM):287A
    - 单脉冲雪崩电流(IL = 0.1mH):75A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):280mJ
    - 最大功率耗散(TO-220F):25°C 时为 56W;自由空气时为 3.75W
    - 热阻:PCB 安装时为 40°C/W;自由空气时为 62.5°C/W
    - 最大存储温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻:结到外壳(RthJC)为 0.6°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):100V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):1V ~ 3V
    - 零栅源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 零栅源电压漏电流(IDSS):1μA @ 125°C, 250μA @ 175°C
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):6550pF
    - 输出电容(Coss):665pF
    - 反向转移电容(Crss):265pF
    - 总栅极电荷(Qg):105nC
    - 栅源电荷(Qgs):17nC
    - 栅极电荷(Qgd):23nC
    - 开通延迟时间(td(on)):12ns ~ 25ns
    - 上升时间(tr):90ns ~ 135ns
    - 关断延迟时间(td(off)):55ns ~ 85ns
    - 下降时间(tf):130ns ~ 195ns

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:采用先进的 TrenchFET® 技术,提供更低的导通电阻(RDS(on)),从而减少功耗并提高效率。
    - 高温耐受性:能够在高达 175°C 的温度下正常工作,适用于恶劣环境下的应用。
    - 可靠性和安全性:符合 RoHS 标准,确保无有害物质。
    - 宽工作电压范围:可承受高达 100V 的漏源电压,适合多种应用需求。
    - 出色的开关性能:具备较低的电容和快速的开关速度,有助于提高系统的整体性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换:用于直流-直流变换器中,作为开关器件,实现高效的电源转换。
    - 电机驱动:在电机驱动电路中,能够有效地控制电机的启停和调速。
    - 照明系统:适用于 LED 照明系统,作为驱动和保护元件。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其高功率耗散能力,建议在设计时注意散热,避免过热损坏。
    - 电路布局:尽量减小寄生电感和电容的影响,以充分利用其快速开关的特性。
    - 电压保护:考虑在电路中添加适当的保护措施,如瞬态电压抑制二极管,以防止过压损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 126N10N-VB TO220F 与大多数标准 TO-220 封装的基板和 PCB 设计兼容。
    - 与市场上常见的驱动器和控制器具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。
    支持:
    - 厂商支持:台湾 VBsemi 有限公司提供了全面的技术支持,包括安装指南、设计参考和客户技术支持热线(400-655-8788)。
    - 文档资源:详尽的技术手册和应用笔记,便于用户深入了解产品的特性和应用。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何处理过高的温度?
    - 解决办法:增加散热片或采用强制风冷方式,确保器件工作温度不超过其绝对最大值。

    问题2:如何改善电路中的开关性能?
    - 解决办法:优化电路布局,减少寄生电感和电容的影响,合理选择外部元件,如驱动电阻。
    问题3:如何避免漏电流引起的损坏?
    - 解决办法:在电路中添加适当的滤波和保护元件,如瞬态电压抑制二极管。

    7. 总结和推荐


    综上所述,126N10N-VB TO220F 是一款极具竞争力的 N-Channel MOSFET,具备卓越的性能和可靠性。无论是对于电源转换、电机驱动还是照明系统,它都能提供稳定可靠的解决方案。强烈推荐该产品用于需要高性能和高可靠性的应用场合。

126N10N-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

126N10N-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 VBSEMI/微碧半导体 126N10N-VB TO220F 126N10N-VB TO220F数据手册

126N10N-VB TO220F封装设计

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