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9NM60N-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: 9NM60N-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9NM60N-VB TO252

9NM60N-VB TO252概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    4VQFS +VODUJPO Power MOSFET是一款高性能的N沟道功率MOSFET,主要应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明等领域。它具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和快速开关性能等特点,适合在高效率、低损耗的电力转换系统中使用。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 650V
    - 最大导通电阻(RDS(on)): 0.7Ω(在VGS=10V,ID=4A时)
    - 最大栅极电荷(Qg): 13nC
    - 栅源电荷(Qgs): 3.5nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 3.8nC
    - 持续漏电流(ID): 40A(在TJ=150°C时)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 97mJ
    - 最大功耗(PD): 94W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C到+150°C

    产品特点和优势


    - 低RDS(on): 0.7Ω(在VGS=10V,ID=4A时),低导通电阻使得器件在高电流下保持低功耗。
    - 低输入电容(Ciss): 有助于减少驱动电路的负载,提高系统的整体效率。
    - 超低栅极电荷(Qg): 减少开关过程中的能量损失,加快开关速度。
    - 重复性脉冲限值: 脉宽受限于最大结温,确保了器件的安全运行。
    - 反向恢复时间短: 降低了反向恢复过程中的损耗,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于服务器电源、电信设备电源、PFC电源以及各种照明设备中,例如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意散热设计,确保器件在高温下的稳定工作。
    - 驱动电路的设计应考虑较低的输入电容和栅极电荷,以减少不必要的能量损失。
    - 在高频应用中,考虑使用低反向恢复时间和短恢复时间的器件,以降低开关损耗。

    兼容性和支持


    该产品可兼容标准的O-220AB、O-252、O-251封装,适合多种应用场景。厂商提供技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过大的栅极电压降。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路,确保驱动电压符合要求。

    - 问题2: 导通电阻过高导致发热严重。
    - 解决方案: 确认电路设计是否合理,必要时增加散热片或优化散热路径。
    - 问题3: 雪崩能量不够导致可靠性下降。
    - 解决方案: 检查器件的工作条件,确保不超过最大允许的雪崩能量。

    总结和推荐


    4VQFS +VODUJPO Power MOSFET凭借其优异的电气特性和稳定性,在电力转换领域有着广泛的应用前景。特别是对于需要高效率和高可靠性的场合,这款产品是理想的选择。综上所述,我强烈推荐这款产品用于相关应用中。

9NM60N-VB TO252参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -

9NM60N-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9NM60N-VB TO252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9NM60N-VB TO252 9NM60N-VB TO252数据手册

9NM60N-VB TO252封装设计

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