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8NM50N-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: 8NM50N-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8NM50N-VB TO220

8NM50N-VB TO220概述


    产品简介


    8NM50N-VB TO220 N-Channel MOSFET
    8NM50N-VB 是一款 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和电机控制等领域。此款 MOSFET 基于 TO-220 封装设计,适用于高电压和中等电流的应用场景。其独特的结构和性能使其在现代电力转换系统中表现出色,具备出色的耐用性和可靠性。

    技术参数


    - VDS(漏源电压):500 V
    - RDS(on)(导通电阻):在 VGS = 10 V 时为 0.660 Ω
    - Qg(总栅极电荷):最大值为 81 nC
    - Qgs(栅源电荷):20 nC
    - Qgd(栅漏电荷):36 nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 VDS:500 V
    - 栅源电压 VGS:±20 V
    - 连续漏极电流 ID:25 °C 时为 13 A,100 °C 时为 8.1 A
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:560 mJ
    - 重复雪崩能量 EAR:25 mJ
    - 最大功率耗散 PD:在 25 °C 时为 250 W
    - 峰值二极管恢复 dV/dt:9.2 V/ns
    - 存储和工作温度范围 TJ, Tstg:-55°C 至 +150°C
    - 封装类型:TO-220AB

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:较低的栅极电荷减少了驱动要求,使得电路设计更加简单。
    2. 增强的鲁棒性:在栅极、雪崩和动态 dv/dt 方面表现良好。
    3. 全面的电容和雪崩电压特性:所有参数均经过充分测试和验证。
    4. 符合 RoHS 指令:环保合规,确保设备在环保标准下运行。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:8NM50N-VB 可用于高效率开关电源的设计,特别是在需要大功率输出的应用中。
    - 电机控制:适合用于电动机驱动,提供稳定的电流控制。
    - 负载管理:在复杂的电力系统中,可以有效地进行电流和电压的控制。
    使用建议:
    - 确保正确选择外围电路元件以满足特定应用的需求。
    - 注意散热设计,特别是当器件处于高功耗状态时,避免过热。

    兼容性和支持


    8NM50N-VB 支持与各种其他电子元器件的兼容使用,如与栅极驱动器配合使用。台湾 VBsemi 提供详尽的技术支持,包括安装指南和故障排除指南。同时,对于长期客户,还可以获得保修和技术咨询的服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免过温?
    - 解决方法:确保适当的散热设计,考虑使用散热片或风扇来降低温度。
    2. 问题:如何处理电压瞬变?
    - 解决方法:使用瞬态抑制二极管(TVS)来保护器件免受瞬态电压的损害。
    3. 问题:在高频率操作中,如何提高效率?
    - 解决方法:优化外围电路设计,如选择合适的栅极电阻,降低开关损耗。

    总结和推荐


    8NM50N-VB TO220 N-Channel MOSFET 是一款高性能的功率 MOSFET,适用于多种工业和消费类电子应用。其卓越的电气特性和鲁棒性使其在各种复杂环境中表现优异。我们强烈推荐此产品给那些需要高性能、高可靠性的应用项目。无论是开发新的电源管理模块还是更新现有的电机控制系统,8NM50N-VB 都是一个理想的选择。

8NM50N-VB TO220参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -

8NM50N-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8NM50N-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8NM50N-VB TO220 8NM50N-VB TO220数据手册

8NM50N-VB TO220封装设计

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