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6R190E6-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 6R190E6-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R190E6-VB TO220F

6R190E6-VB TO220F概述


    产品简介


    6R190E6-VB TO220F 型号超级结功率 MOSFET 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET。该产品具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,使其特别适用于需要高效开关性能的应用场景。主要功能包括高耐压(650V)和较低的热阻,确保了其在严苛条件下的可靠性和稳定性。广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明控制(如高强度放电灯和荧光灯照明)和工业设备中。

    技术参数


    - 额定电压:VDS (max) = 650 V
    - 导通电阻:RDS(on) @ 25 °C, VGS = 10 V = 0.19 Ω
    - 总栅极电荷:Qg (Typ.) = 106 nC
    - 输入电容:Ciss (Typ.) = 2322 pF
    - 输出电容:Coss (Typ.) = 105 pF
    - 反向传输电容:Crss (Typ.) = -4 pF
    - 最大功率耗散:PD = 200 W
    - 连续漏电流:ID (TJ = 150 °C) = 20 A
    - 重复性脉冲电流:IDM = 13 A
    - 反向恢复时间:trr (Typ.) = 160 ns
    - 绝对最大工作温度范围:TJ, Tstg = -55 to +150 °C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:总栅极电荷仅为 106 nC,有助于降低系统的功耗。
    2. 低输入电容:Ciss 为 2322 pF,提高了系统的开关速度。
    3. 优异的导通电阻:导通电阻在 25 °C 时仅为 0.19 Ω,显著降低了功耗。
    4. 卓越的热性能:绝对最大功率耗散可达 200 W,保证了长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:该 MOSFET 在数据中心中的电源转换过程中表现出色,有效降低了能耗。
    - 工业控制:在各种工业环境中,该产品被用于电动机驱动和其他负载切换控制。
    - 照明设备:如 HID 灯和荧光灯照明系统的电源控制,该产品能提供稳定的电流输出。
    使用建议
    - 散热设计:在高功率应用中,考虑使用有效的散热装置来避免过热,例如散热片或散热风扇。
    - 电路保护:在设计电路时,增加必要的保护措施,例如过流保护和浪涌抑制,以提高可靠性。
    - 优化布局:确保电路布局合理,以减少寄生效应和提升整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与大多数标准 PCB 尺寸兼容,能够方便地集成到现有系统中。
    - 支持和维护:VBsemi 提供全面的技术支持,包括应用指南、样品请求和技术咨询。如有任何问题,可随时联系客服热线 400-655-8788 或访问官方网站 www.VBsemi.com。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动延迟时间过长
    - 解决方案:检查并优化栅极驱动电路,减小栅极电阻(Rg),确保充足的栅极驱动电压。

    - 问题2:发热过高
    - 解决方案:增加散热装置,如使用散热片或改进电路布局,确保良好的散热效果。

    - 问题3:失效保护缺失
    - 解决方案:增加必要的电路保护措施,如保险丝和瞬态电压抑制二极管,防止过电流和电压突变。

    总结和推荐


    总体来看,6R190E6-VB TO220F 型号的 MOSFET 集成了低导通电阻、低栅极电荷和高耐压等优势,是一款性能优异且应用广泛的电子元件。该产品非常适合于高效率电源转换和控制应用。经过详细测试和评估,我们强烈推荐此产品在关键的工业和商业应用中使用。如有任何疑问或技术支持需求,请及时联系制造商或授权经销商获取帮助。

6R190E6-VB TO220F参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -

6R190E6-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R190E6-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R190E6-VB TO220F 6R190E6-VB TO220F数据手册

6R190E6-VB TO220F封装设计

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