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4N06L04-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: 4N06L04-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N06L04-VB TO263

4N06L04-VB TO263概述

    # 4N06L04-VB TO263 N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    4N06L04-VB TO263 是一款由VBsemi公司生产的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要适用于高电流、高频开关电源等领域。其设计采用先进的TrenchFET®技术,具有较低的导通电阻和良好的热阻特性。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):125°C时为65A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):350A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):65A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):211mJ
    - 最大功耗 (PD):当TC = 25°C时为220W,当TC = 125°C时为70W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至+175°C
    热阻
    - 结到环境的热阻 (RthJA):40°C/W(当安装在1英寸正方形PCB上时)
    - 结到外壳的热阻 (RthJC):0.65°C/W
    额定参数
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10V栅源电压下为4mΩ
    - 最大连续漏极电流 (ID):120A
    - 门极电荷 (Qg):10V栅源电压下为96nC

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术:该技术使得MOSFET具备更低的导通电阻,提高工作效率。
    2. 低热阻封装:增强散热能力,确保长时间稳定运行。
    3. 全面测试:所有产品经过100%的栅极电阻和雪崩测试,确保产品质量。
    4. 宽广的工作温度范围:从-55°C到+175°C,适合各种严苛的工业环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:4N06L04-VB TO263 可用于高频开关电源的设计中,显著提升效率。
    - 驱动电机:在电机驱动电路中作为开关元件,提供高效可靠的电流控制。
    - 汽车电子:适用于汽车电子系统中要求严格温度和电气特性的场合。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意合理的散热设计,避免因过热导致的性能下降。
    - 尽量减少栅极电压的波动,以降低开关损耗,提高整体能效。
    - 在高频应用中,需考虑输入、输出及转移电容的影响,以优化系统响应速度。

    兼容性和支持


    4N06L04-VB TO263 可与其他常见的电源管理IC和控制器兼容,广泛应用于各种电源和控制电路中。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后保障,包括详尽的文档、样品请求和快速响应的技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致过温保护 | 加强散热设计,使用散热片或散热器。 |
    | 门极驱动信号不稳定 | 检查门极驱动电路,确保信号质量。 |
    | 漏电流过高 | 检查焊接质量和电气连接,排除短路可能。 |

    总结和推荐


    4N06L04-VB TO263 MOSFET凭借其出色的性能和稳定性,在多种电力电子应用中表现出色。其较低的导通电阻和良好的热阻特性使其成为高性能开关电源和其他高电流应用的理想选择。对于需要在恶劣环境下工作的应用来说,这款MOSFET是一个值得推荐的产品。
    如有任何疑问,建议联系VBsemi的服务热线:400-655-8788,获取更多技术支持和信息。

4N06L04-VB TO263参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

4N06L04-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N06L04-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N06L04-VB TO263 4N06L04-VB TO263数据手册

4N06L04-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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