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5R380CE-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: 5R380CE-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 5R380CE-VB TO220F

5R380CE-VB TO220F概述

    5R380CE-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    5R380CE-VB 是一款高性能的N沟道550V电源 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于消费电子、服务器及电信电源供应、工业设备、电池充电器以及功率因数校正(PFC)等领域。该器件具备低区域特定导通电阻、低输入电容、快速开关等特性,使其在多种应用场景中表现出色。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):550V
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):0.26Ω(在 VGS = 10V 时)
    - 最大总栅极电荷 (Qg):150nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):25nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):550V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 脉冲漏极电流 (IDM):56A
    - 最大功率耗散 (PD):60W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低区域特定导通电阻 (Low Area Specific On-Resistance):低导通电阻减少了损耗,提高了效率。
    - 低输入电容 (Low Input Capacitance):降低了电容开关损耗,有助于提高系统整体效率。
    - 高体二极管坚固性 (High Body Diode Ruggedness):增强了在恶劣环境下的可靠性。
    - 低开关时间延迟 (Fast Switching):缩短了开关时间,提高了系统的响应速度。
    - 简单门驱动电路 (Simple Gate Drive Circuitry):简化了外围电路设计,降低了成本。

    4. 应用案例和使用建议


    - 消费电子产品:应用于液晶或等离子电视的显示器中。
    - 服务器及电信电源供应:用于开关模式电源(SMPS)。
    - 工业应用:适用于焊接、感应加热和电机驱动等场合。
    - 电池充电器:适合作为高效充电器的关键组件。
    - 功率因数校正(PFC):提供稳定的电源供应,改善功率因数。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应考虑热管理,确保不超过最大允许的工作温度。
    - 选择合适的栅极驱动电阻 (Rg),以实现最优的开关性能。
    - 使用低电感电路布局,减少杂散电感的影响,提高可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:5R380CE-VB MOSFET 可与常见的电源管理和控制电路兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持和服务:制造商提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免热失控?
    - A: 确保良好的散热设计,例如增加散热片或使用风扇,保证器件工作在安全温度范围内。

    - Q: 开关过程中出现振荡怎么办?
    - A: 增加外部电容或调整栅极电阻值,减小振荡现象。

    7. 总结和推荐


    总结:
    5R380CE-VB N-Channel 550V Power MOSFET 以其卓越的效率、可靠性以及低成本,成为消费电子、工业控制以及电力供应领域的理想选择。其独特的设计特性和广泛的适用范围使其在市场上具有显著的竞争优势。
    推荐:
    基于其出色的性能和多功能性,强烈推荐将5R380CE-VB MOSFET 应用于需要高效率和可靠性的各类电子设备中。

5R380CE-VB TO220F参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
FET类型 -

5R380CE-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

5R380CE-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 5R380CE-VB TO220F 5R380CE-VB TO220F数据手册

5R380CE-VB TO220F封装设计

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