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180N55F3-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220 适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
供应商型号: 180N55F3-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 180N55F3-VB TO220

180N55F3-VB TO220概述


    产品简介


    180N55F3-VB是一款N沟道功率MOSFET,由VBsemi公司制造。它主要用于需要高效率和低损耗的应用场景。由于其高可靠性、低热阻特性和宽广的工作温度范围,该器件广泛应用于各种电力电子系统中,如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 VDS | 60 | V |
    | 栅源导通电阻 RDS(on)(VGS=10V) | 0.003 | Ω |
    | 栅源导通电阻 RDS(on)(VGS=4.5V) | 0.009 | Ω |
    | 连续漏极电流 ID | 210 | A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | 480 | A |
    | 最大耗散功率 PD | 375 | W |
    | 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |

    产品特点和优势


    - 绿色环保材料:符合IEC 61249-2-21标准的无卤素设计,满足RoHS指令要求。
    - 高性能MOSFET:采用TrenchFET®技术,确保高效能和低导通电阻。
    - 低热阻封装:优化的封装结构有助于降低热阻,提高散热效率。
    - 可靠性验证:所有器件均经过Rg和UIS测试,确保高可靠性和一致性。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:适合用于高压、高电流的电力电子系统,如开关电源、电机驱动等。
    - 使用建议:为了确保最佳性能和长期稳定性,建议在正常工作条件下使用,并注意良好的散热措施。同时,在设计电路时要考虑到过压保护措施,以防止瞬间高压对器件造成损害。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与现有的大多数电子设备兼容,适用于多种类型的电路板。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热过快 | 增加散热装置,优化电路布局 |
    | 启动延迟时间长 | 检查外部电容值和连接线质量,适当调整栅极电阻Rg |

    总结和推荐


    综上所述,180N55F3-VB作为一款高品质的N沟道功率MOSFET,具有优异的性能和可靠性。它的无卤素设计、高性能和低热阻封装使其成为众多电力电子应用的理想选择。鉴于其卓越的功能和市场竞争力,我们强烈推荐将其纳入相关设计中。

180N55F3-VB TO220参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

180N55F3-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

180N55F3-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 180N55F3-VB TO220 180N55F3-VB TO220数据手册

180N55F3-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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