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11N60C3-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO263。该产品具有650V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为430m?,最大漏极电流为18A,适用于各种高压应用场景。
供应商型号: 11N60C3-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 11N60C3-VB TO263

11N60C3-VB TO263概述


    产品简介


    11N60C3-VB TO263 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为各种高要求的开关应用而设计。 它广泛应用于电信、工业、消费电子、新能源等领域。具体应用包括服务器和电信电源供应、高亮度放电(HID)照明、荧光灯镇流器、ATX电源供应、焊接设备、电池充电器及太阳能逆变器等。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格和参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.36 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2322 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 105 | - | pF |
    | 门极电荷 | Qg | - | 71 | 106 | nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs | - | 14 | - | nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | - | 33 | - | nC |
    | 栅极电阻 | Rg | - | 0.78 | - | Ω |
    | 反向恢复时间 | trr | - | 160 | - | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | 1.2 | - | μC |
    其他特性:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大单脉冲雪崩能量:367 mJ
    - 最大功率耗散:208 W
    - 极限栅源电压:±30 V

    产品特点和优势


    1. 低开关损耗:由于具有较低的反向恢复电荷(Qrr),该器件能够显著降低开关损耗。
    2. 低功耗:具有较低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少功耗并提高效率。
    3. 快速开关:通过优化的寄生电容和电荷分布,确保快速的开关性能。
    4. 坚固耐用:具备出色的雪崩能力(UIS),能够承受高压瞬态。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:利用其高效率和快速开关性能,可以有效提升电源系统的可靠性。
    - LED驱动器:在高亮度放电灯和荧光灯电路中,其快速的反向恢复特性减少了对额外缓冲电路的需求。
    - 工业设备:适用于焊接和电池充电器,其高温耐受能力使其适合恶劣的工作环境。
    使用建议
    - 选择合适的栅极驱动电阻:推荐使用约9.1 Ω的栅极电阻以平衡开关速度与EMI性能。
    - 优化布局:确保PCB布局低寄生效应,尤其是减小寄生电感以进一步改善性能。

    兼容性和支持


    11N60C3-VB TO263与主流电源控制芯片兼容,且提供详细的电气特性和热管理指南。厂商提供全面的技术支持,包括应用笔记和技术文档,帮助客户优化系统设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 调整栅极电阻值以降低开关损耗 |
    | 反向恢复期间出现振荡 | 在电路中加入适当的缓冲电路 |
    | 电流波形不理想 | 检查驱动信号完整性并调整上升沿斜率 |

    总结和推荐


    综上所述,11N60C3-VB TO263 是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,具有优秀的开关特性和低功耗表现。 它特别适合需要高效率和快速响应的应用场景。我们强烈推荐此产品给需要高性能功率转换解决方案的设计工程师。
    如果您正在寻找一个能够在极端条件下可靠工作的器件,11N60C3-VB TO263 是您的最佳选择之一。

11N60C3-VB TO263参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

11N60C3-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

11N60C3-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 11N60C3-VB TO263 11N60C3-VB TO263数据手册

11N60C3-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.247
100+ ¥ 4.8584
500+ ¥ 4.664
800+ ¥ 4.4697
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