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6R165P-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 6R165P-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R165P-VB TO220F

6R165P-VB TO220F概述

    产品概述

    产品简介


    6R165P-VB是一款采用TO220F封装的N沟道650V(D-S)超级结功率MOSFET。这款产品以其低损耗特性而著称,在多种应用场合中表现优异,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统等。它的应用广泛涵盖了高亮度放电灯(HID)和荧光灯镇流器等领域,特别适合工业应用。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 电压范围:最高650V
    - 阈值电压:2至5V
    - 导通电阻(RDS(on)):在25°C时为0.19Ω(VGS=10V)
    - 总栅极电荷(Qg):典型值106nC
    - 输入电容(Ciss):最大2322pF
    - 输出电容(Coss):最大105pF
    - 反向传输电容(Crss):最大4pF
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(ID):25°C时最高20A,100°C时为13A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):360mJ
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结到管壳热阻(RthJC):5°C/W
    - 操作温度范围:结温和存储温度范围为-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    - 低损耗:具有极低的Ron(导通电阻)和Qg(栅极电荷),显著减少了切换和传导损耗。
    - 高可靠性:超结结构提高了器件的工作稳定性和寿命。
    - 优秀的电气特性:低Ciss(输入电容)和低反向恢复时间trr,进一步提升了整体性能。
    - 高雪崩能量耐受性:高能效等级确保了在恶劣环境下依然可靠运行。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源(SMPS):适用于高效率转换,特别适合需要小体积和高功率密度的应用。
    - LED照明驱动:通过调节栅极电压可以实现更精细的功率控制。
    - 电机控制:在某些电机控制系统中用于功率控制和保护电路。
    - 工业驱动器:提供高可靠性,适用于工业级应用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET设计为通用标准,可兼容大多数工业标准电路板设计。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助解决在使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过压损坏?
    - A: 确保VGS不超过额定值,并设置合适的门限以保护器件。
    - Q: 在高湿度环境中使用时需要注意什么?
    - A: 应考虑加装防水密封件,确保连接点干燥,防止短路。
    - Q: 过热会导致什么后果?
    - A: 过高的结温会导致性能下降甚至损坏。务必遵守散热要求,使用适当的冷却措施。

    总结和推荐


    6R165P-VB TO220F 是一款非常出色的产品,具有出色的性能和广泛的应用范围。其高可靠性、低损耗特性使其成为各种工业和消费类应用的理想选择。尽管初始成本可能略高于传统MOSFET,但其长期效益和性能提升使其成为一个值得推荐的选择。如果您需要高效、可靠的电源解决方案,6R165P-VB 是您的理想之选。

6R165P-VB TO220F参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

6R165P-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R165P-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R165P-VB TO220F 6R165P-VB TO220F数据手册

6R165P-VB TO220F封装设计

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