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3PN0403-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: 3PN0403-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3PN0403-VB TO263

3PN0403-VB TO263概述

    3PN0403-VB TO263 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    3PN0403-VB 是一款采用 TO263 封装的 N-Channel 功率 MOSFET。该产品集成了 TrenchFET® 技术,专为高效率和低损耗的应用设计。主要功能包括出色的导通电阻(RDS(on))特性,广泛应用于同步整流和电源管理系统中。其核心优势在于高功率处理能力和低功耗,使其成为电源转换和控制系统中的理想选择。

    技术参数


    - 主要参数
    - 漏极-源极电压 (VDS): 150V
    - 门极-源极电压 (VGS): ±25V
    - 最大漏极电流 (ID): 150A @ 25°C,70°C 时降额至 110A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 380A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 320mJ
    - 门极电阻 (Rg): 0.85Ω @ 1MHz
    - 性能参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V 时为 0.0017Ω
    - 在 VGS = 4.5V 时为 0.0025Ω
    - 转移电导 (gfs): 180S @ VDS = 15V,ID = 30A
    - 输入电容 (Ciss): 9000pF @ VDS = 20V,VGS = 0V,f = 1MHz
    - 输出电容 (Coss): 650pF
    - 反向传输电容 (Crss): 450pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 120nC @ VDS = 20V,VGS = 10V,ID = 20A

    产品特点和优势


    - 高效能: 高效的 TrenchFET® 技术保证了极低的导通电阻和优秀的动态性能。
    - 高可靠性: 100% Rg 和 UIS 测试确保产品的可靠性和稳定性。
    - 广泛应用: 适用于同步整流和电源管理系统的多种应用场景。
    - 紧凑设计: TO263 封装使得该器件适合各种空间受限的设计需求。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流: 在高频开关电源系统中,3PN0403-VB 能显著提高系统的转换效率,降低热损失。
    - 电源管理: 由于其高功率密度和低功耗特性,该器件特别适合于需要高效电源管理的应用,如服务器电源供应系统。
    - 建议: 在使用时应特别注意散热设计,确保设备能在高温环境下稳定运行。同时,考虑到脉冲电流的特点,需合理选择外部驱动电路以防止过载。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 3PN0403-VB 与常见的 D2PAK (TO-263) 封装兼容,易于替换现有的 D2PAK 器件。
    - 支持: VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,用户可通过公司官网或服务热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何避免过热损坏?
    - 解决方案: 确保适当的散热措施,如加装散热片或风扇,以维持温度在安全范围内。
    - 问题: 如何正确选择驱动电路?
    - 解决方案: 根据负载特性和工作频率,选择合适的门极电阻 (Rg),并确保有足够的栅极电荷驱动能力。

    总结和推荐


    3PN0403-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel 功率 MOSFET。其卓越的导通电阻特性、广泛的适用性和优良的稳定性,使其在各种电力电子应用中表现优异。尽管价格略高于同类产品,但其高性价比和可靠性使其成为值得推荐的产品。无论是对于电源管理还是其他电力控制应用,3PN0403-VB 都是一个值得考虑的选择。

3PN0403-VB TO263参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -

3PN0403-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3PN0403-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3PN0403-VB TO263 3PN0403-VB TO263数据手册

3PN0403-VB TO263封装设计

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