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6R950C6-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: 6R950C6-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R950C6-VB TO252

6R950C6-VB TO252概述


    产品简介


    本产品为VBsemi公司的N-Channel MOSFET(型号6R950C6 TO252),主要用于功率控制领域。这款MOSFET具有低门极电荷(Qg)、高可靠性以及全面的电气特性特征。它的主要应用领域包括开关电源、电机驱动和逆变器等。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 漏源电压(VDS) | 650 V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2.0 ~ 4.0 V |
    | 零栅源电压漏电流(IDSS) | 10 μA |
    | 通态电阻(RDS(on)) | 0.95 Ω (VGS=10V) |
    | 栅极充电总电荷(Qg) | 15 nC |
    | 输出电容(Coss) | 75 pF |
    | 最大脉冲漏电流(IDM) | 16 A |
    | 最大连续漏电流(ID) | 5 A (TC=25°C) |
    | 绝对最大栅极脉冲电压(VGS) | ±30 V |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 ~ +150 °C |

    产品特点和优势


    该产品具备以下几个显著特点:
    - 低门极电荷:简化驱动需求,减少功耗。
    - 高可靠性和坚固性:增强了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。
    - 完全指定的电气特性:包括容量和雪崩电压、电流。
    - 符合RoHS标准:无铅,环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款MOSFET广泛应用于各种电源管理领域,如开关电源、电机驱动和逆变器。例如,在一个500W开关电源的设计中,它可以作为主控开关,提供稳定的电流输出和高效的能源转换效率。
    使用建议
    - 在设计时,应确保输入电压(VDD)不超过额定值,并且在高功率应用中需考虑散热问题。
    - 选择合适的驱动电路来控制栅极电压,以避免过高的dv/dt导致MOSFET损坏。
    - 注意门极和源极之间的保护措施,以防止意外的高压冲击。

    兼容性和支持


    此产品与多数常见的工业标准驱动器兼容。制造商提供了详细的技术支持文档和快速响应的技术支持团队,以便在应用过程中遇到问题时能够及时获得帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定合适的驱动电阻?
    解决方案:根据门极电荷曲线选择合适的驱动电阻,使栅极电荷能快速完成充电,以减少开关损耗。通常,选择RG在10 Ω到50 Ω之间。
    问题2:如何处理过压问题?
    解决方案:在电路中加入瞬态电压抑制器(TVS)或箝位二极管,确保电路在出现过压情况时能够迅速泄放多余能量,保护MOSFET不受损害。

    总结和推荐


    综上所述,VBsemi的6R950C6 TO252 MOSFET在低门极电荷、高可靠性以及全面电气特性方面表现优异。适用于多种电力管理和控制应用,且具有良好的技术支持和兼容性。因此,我们非常推荐此产品用于需要高效、可靠电力控制的应用场合。

6R950C6-VB TO252参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -

6R950C6-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R950C6-VB TO252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R950C6-VB TO252 6R950C6-VB TO252数据手册

6R950C6-VB TO252封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.9798
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