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05N03LA-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: 05N03LA-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 05N03LA-VB TO220

05N03LA-VB TO220概述


    产品简介


    05N03LA-VB TO220 N-Channel MOSFET
    05N03LA-VB是一款由VBsemi公司生产的TO220封装的N沟道30V MOSFET。这种晶体管主要应用于电源管理、服务器系统以及直流转换等场景。其独特之处在于采用了TrenchFET技术,保证了高效的电流控制和低导通电阻。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 30 | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=175℃) | ID | - | 120 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 380 | - | A |
    | 雪崩电流脉冲 | IAS | - | 36 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 64.8 | - | V |
    | 源极-漏极体二极管持续电流 | IS | - | 90 | - | A |
    | 最大功耗 | PD | - | 250 | - | W |
    | 热阻抗(最大结-外壳稳态) | RthJC | - | 0.5 | 0.6 | °C/W |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | - | 0.003 | - | Ω |
    | 导通电阻(VGS=4.5V) | RDS(on) | - | 0.004 | - | Ω |

    产品特点和优势


    05N03LA-VB MOSFET的主要优势在于其低导通电阻和高电流处理能力,能够有效降低功耗并提高系统的效率。TrenchFET技术的应用使得其具备更优的散热性能,能够在高电流环境下稳定运行。此外,100% Rg和UIS测试确保了产品的可靠性和一致性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源:05N03LA-VB适用于服务器系统中的电源管理模块,能够有效处理高电流并提供可靠的保护。
    - DC/DC转换器:其高效的转换能力和低导通电阻使其成为DC/DC转换器的理想选择。
    - OR-ing电路:由于其出色的反向恢复性能,可以用于高性能的OR-ing电路中。
    使用建议
    - 热设计:在使用过程中需要注意良好的散热设计,以防止因过热导致的性能下降。
    - 电流限制:在使用过程中应注意电流的控制,避免长时间超过额定电流的情况出现。

    兼容性和支持


    05N03LA-VB MOSFET支持标准的TO220封装,易于安装和集成。VBsemi公司提供了详细的技术支持和售后服务,以帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 加强散热措施,例如增加散热片或采用散热风扇。 |
    | 漏电流过大 | 检查栅极-源极电压是否符合要求,确保合适的驱动信号。 |
    | 功耗过高 | 检查电路设计是否合理,优化负载分配和供电路径。 |

    总结和推荐


    05N03LA-VB MOSFET凭借其高效能、低功耗和高可靠性,在多种应用中表现出色。其在服务器电源、DC/DC转换器以及OR-ing电路中的应用尤其突出。对于需要高性能电源管理和转换的场合,强烈推荐使用此产品。

05N03LA-VB TO220参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -

05N03LA-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

05N03LA-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 05N03LA-VB TO220 05N03LA-VB TO220数据手册

05N03LA-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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