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47N10L-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
供应商型号: 47N10L-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 47N10L-VB TO220

47N10L-VB TO220概述

    47N10L-VB TO220 N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    47N10L-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道100-V MOSFET,采用TO220封装形式。该器件专为高可靠性应用设计,具有低导通电阻和高击穿电压的特点。主要应用于隔离式直流-直流转换器等领域。其独特的TrenchFET® Power MOSFET架构使其在高温环境下依然表现优异。

    技术参数


    - 额定参数
    - 击穿电压(V(BR)DSS): 100V
    - 最大连续漏极电流(ID): 70A(TC = 25°C),35A(TC = 125°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 60mJ
    - 最大功耗(PD): 355W(TC = 25°C),3.35W(TA = 25°C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS): 100V
    - 门限电压(VGS(th)): 2V~4V
    - 开启状态下的漏源电阻(rDS(on)): 0.017Ω(VGS = 10V, ID = 30A)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss): 18pF
    - 输出电容(Coss): 210pF
    - 反向传输电容(Crss): 110pF
    - 总栅极电荷(Qg): 90nC
    - 热阻抗参数
    - 结至环境热阻(RthJA): 40°C/W
    - 结至外壳热阻(RthJC): 0.4°C/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET:先进的TrenchFET®结构使得该器件具有更低的导通电阻和更高的温度耐受能力。
    2. 宽工作温度范围:-55°C 至 175°C 的宽温度范围使得该器件能够在恶劣环境下可靠运行。
    3. 低热阻抗:低至0.4°C/W的结至外壳热阻保证了高效的散热性能,提高了长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 隔离式直流-直流转换器:47N10L-VB 在这种应用中表现出色,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。

    - 使用建议:
    - 在设计隔离式直流-直流转换器时,注意选择合适的驱动电路以确保器件正常工作。
    - 使用散热片来进一步提高散热效率,尤其是在大功率应用中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与多种常见的电路板设计兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi提供详尽的技术文档和专业的技术支持团队,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过高的结温?
    - 解决方案:通过合理的散热设计和选择合适的散热材料来降低结温。

    - 问题2:在高频应用中,栅极电容的影响如何减小?
    - 解决方案:使用低电容的栅极驱动器,并增加栅极电阻以减缓开关速度。

    总结和推荐


    47N10L-VB TO220 N-Channel MOSFET 在其应用范围内表现出色,尤其适用于要求高可靠性和高效能的隔离式直流-直流转换器。其低导通电阻、高击穿电压以及宽温度范围的应用特点使其成为众多高可靠性应用的理想选择。对于需要高性能、高稳定性的电源管理方案的设计者来说,这款产品是一个值得考虑的选择。
    综上所述,我们强烈推荐使用47N10L-VB作为高性能应用的理想MOSFET器件。

47N10L-VB TO220参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -

47N10L-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

47N10L-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 47N10L-VB TO220 47N10L-VB TO220数据手册

47N10L-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
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500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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