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4N0607-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: 4N0607-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N0607-VB TO263

4N0607-VB TO263概述

    # 4N0607-VB TO263 N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    4N0607-VB TO263 是一款由 VBsemi 推出的高性能 N-Channel 60V(D-S)MOSFET。该产品采用先进的 TrenchFET® 技术,具有低热阻封装,能够显著提高效率并减少功耗。广泛应用于开关电源、电机驱动器、电池管理及汽车电子等领域。
    主要功能
    - 高效率的功率传输
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 超快的开关速度
    - 高抗浪涌电流能力
    应用领域
    - 工业控制设备
    - 汽车电子系统
    - 通信电源模块
    - 家电及消费电子设备

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 4.0 | - | V |
    | 栅源漏极电流(断开状态)| IDSS | - | - | 1 | μA |
    | 导通电流(连续) | ID | - | 150 | 65 | A |
    | 峰值脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 350 | A |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | 40 | - | - | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |

    产品特点和优势


    特点
    - 高可靠性:经过 100% Rg 和 UIS 测试,确保产品质量稳定。
    - 低热阻设计:通过优化封装结构,有效降低器件温度。
    - 高抗浪涌能力:支持高达 65A 的单脉冲雪崩电流,适用于恶劣环境。
    优势
    - 极低的导通电阻(典型值为 4mΩ),极大提升了能效。
    - 快速开关时间(典型值为 16ns),适用于高频电路。
    - 符合绿色环保标准,RoHS 和无卤素认证。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:用于 DC-DC 转换器,提升转换效率。
    - 电机驱动:作为电机控制器中的核心组件,实现高效驱动。
    - 车载电子:适用于汽车电池管理系统,保障行车安全。
    使用建议
    - 在高频电路中,建议选择更低栅极电荷的产品以减少开关损耗。
    - 针对高温环境,可以增加散热片以提高热稳定性。
    - 设计时需注意过压保护,避免因瞬态电压导致损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 支持主流 PCB 设计工具,如 Eagle 和 KiCad。
    - 可与多种微控制器平台无缝对接,简化开发流程。
    厂商支持
    - 提供完整的技术文档和支持服务。
    - 服务热线:400-655-8788,随时解答客户疑问。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 增加外部散热片 |
    | 导通电阻异常升高 | 检查焊接质量,重新安装 |
    | 输出波形失真 | 调整输入信号频率和幅值 |

    总结和推荐


    综合评估
    4N0607-VB TO263 是一款性能卓越的 N-Channel MOSFET,凭借其出色的导通电阻、快速开关特性和高可靠性,在工业和汽车领域具有广泛的适用性。其低热阻设计尤其适合需要高效散热的应用场合。
    推荐结论
    强烈推荐此产品用于对能效要求较高的应用场合。无论是开发工业自动化设备还是电动汽车控制系统,4N0607-VB TO263 都是理想的选择。此外,VBsemi 提供的完善技术支持进一步增强了产品的市场竞争力。

4N0607-VB TO263参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -

4N0607-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N0607-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N0607-VB TO263 4N0607-VB TO263数据手册

4N0607-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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