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2N03L05-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: 2N03L05-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N03L05-VB TO220

2N03L05-VB TO220概述


    产品简介


    2N03L05-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道增强型30V(D-S)功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件主要用于电源管理和控制应用,如OR-ing电路、服务器及DC/DC转换器中。其主要功能包括高效开关、低导通电阻以及优异的热性能,能够满足多种高可靠性要求的应用场合。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | 30 | V |
    | 门源电压 | VGS | -20 | - | +20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 120 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 380 | - | A |
    | 额定单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 64.8 | - | V |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 250 | W |
    | 热阻 | RthJA | 32 | - | 40 | °C/W |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.003 | - | Ω |
    | 开启电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.5 | - | V |

    产品特点和优势


    2N03L05-VB MOSFET具有以下特点和优势:
    1. TrenchFET® Power MOSFET技术:提供高效率和低导通电阻,减少功耗。
    2. 100% Rg和UIS测试:确保产品在生产过程中的质量和可靠性。
    3. 符合RoHS标准:保证产品的环保性能,适用于全球市场。
    4. 低导通电阻:在10V VGS时为0.003Ω,保证较低的功耗和高效的电力转换。
    5. 优秀的热性能:最大功率耗散可达250W,热阻为32-40°C/W,适合在高温环境下运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器电源管理:在服务器电源管理系统中,2N03L05-VB可作为开关元件,实现高效且稳定的电力转换。
    2. DC/DC转换器:用于不同电压等级之间的电能转换,具有高效率和低功耗特性。
    使用建议
    - 在使用过程中,要确保散热措施到位,避免因温度过高导致器件损坏。
    - 在进行脉冲操作时,注意不要超过最大脉冲电流和能量限制,以免造成器件损伤。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2N03L05-VB与大多数标准电路板设计兼容,可用于各种不同的电子系统中。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的技术文档、常见问题解答和在线咨询服务。客户可以通过服务热线400-655-8788联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 检查散热片安装是否正确,增加散热片面积或改进散热方式。 |
    | 功率损耗过高 | 检查连接线是否合理,尽量减少线路长度,减少寄生电阻和电感。 |
    | 启动延迟时间长 | 检查驱动电路设计是否合理,调整驱动电压和电阻值。 |

    总结和推荐


    2N03L05-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于各种高可靠性应用场合。其显著的特点是低导通电阻和优异的热性能,能够有效提高系统的效率和稳定性。此外,该产品符合RoHS标准,具备良好的环保性能,非常适合现代电子产品的需求。
    综上所述,强烈推荐使用2N03L05-VB MOSFET。无论是对热性能有较高要求的应用还是对功耗敏感的电路设计,这款器件都是理想的选择。

2N03L05-VB TO220参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -

2N03L05-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N03L05-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N03L05-VB TO220 2N03L05-VB TO220数据手册

2N03L05-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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