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20N03L-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: 20N03L-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 20N03L-VB TO252

20N03L-VB TO252概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,主要用作电源管理中的关键组件。它的主要功能是作为开关,在服务器、直流-直流转换器和其他电力管理系统中提供高效的功率控制。该产品采用TrenchFET® Power MOSFET技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 漏源电压 (VDS):最大值为30V
    - 门源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):在25°C时最大值为8A;在70°C时最大值为1A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值为200A
    - 雪崩电流脉冲 (IAS):最大值为39A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值为94.8mJ
    - 最大功率耗散 (PD):在25°C时为100W;在70°C时为75W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻率 (RthJA):最大值为40°C/W;典型值为32°C/W
    - 热阻率 (RthJC):最大值为0.6°C/W;典型值为0.5°C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试,符合RoHS Directive 2011/65/EU标准。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10V时,RDS(on) 仅为0.007Ω;在VGS = 4.5V时,RDS(on) 为0.009Ω。
    - 优秀的动态特性:低输入电容(Ciss)、低输出电容(Coss)和低反向转移电容(Crss)有助于提高系统效率和减少开关损耗。
    - 宽泛的工作温度范围:支持在-55°C至175°C的温度范围内稳定工作,确保在各种恶劣环境下仍能正常运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing 应用:常用于服务器中实现冗余供电,以增强系统的可靠性和稳定性。
    - DC/DC 转换器:在DC/DC转换器中作为高效开关,实现精确的电压转换。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意散热问题,合理选择散热片或散热器,以避免过热损坏。
    - 确保电路设计符合该产品的绝对最大额定值,避免因超过额定值而引起的永久性损伤。
    - 在使用过程中,建议对漏极电流进行监测,避免长时间过载导致器件失效。

    兼容性和支持


    该产品与大多数常见的电子电路板设计兼容,适用于广泛的电源管理应用。VBsemi公司为其产品提供了详尽的技术文档和支持,包括设计指南、应用笔记和售后服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定该产品的最大工作电流?
    解决方案:参考技术手册中的“绝对最大额定值”部分,可以看到在25°C时的最大连续漏极电流为8A。在更高温度下,电流会相应降低,具体可以参考“热阻率”部分的数据。
    问题2:如何进行有效的散热设计?
    解决方案:通过增加散热片或散热器来改善散热效果,同时可以在电路设计中增加温度传感器,实时监控器件的温度,并在必要时采取措施降低温度,如增加风扇或散热装置。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,特别适合应用于服务器、DC/DC转换器等要求高效率和可靠性的场合。它不仅具备出色的导通电阻和工作温度范围,还通过严格的测试和认证,确保了在严苛环境下的稳定性和耐久性。综上所述,强烈推荐此款产品在相关应用中使用。
    如有任何疑问或需要进一步的支持,欢迎随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

20N03L-VB TO252参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -

20N03L-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

20N03L-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 20N03L-VB TO252 20N03L-VB TO252数据手册

20N03L-VB TO252封装设计

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