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95N2LH5-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: 95N2LH5-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 95N2LH5-VB TO220

95N2LH5-VB TO220概述


    产品简介


    95N2LH5-VB TO220 MOSFET
    95N2LH5-VB 是一种采用 TO220 封装的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于直流电到直流电转换、服务器电源管理及电源开关应用。其核心特征包括高性能的沟槽栅极技术(TrenchFET®),并符合欧盟 RoHS 指令,保证环保要求。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(TJ = 175°C):120A
    - 最大功率耗散(TJ = 25°C):250W
    - 结至环境热阻(RthJA):≤ 40°C/W
    - 结至外壳热阻(RthJC):0.5°C/W
    - 导通电阻(RDS(on),VGS = 10V):0.003Ω
    - 栅极充电量(Qg):171-257nC
    - 反向恢复时间(trr):52-78ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):70.2-105nC
    - 封装类型:TO220AB

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:沟槽栅极技术显著提高了器件的性能,特别是在高频率和大功率应用中。
    2. 可靠性测试:100% 的 Rg 和 UIS 测试确保产品的高可靠性和稳定性。
    3. 环保合规:符合欧盟 RoHS 指令,适用于环保要求严格的场合。
    4. 宽温度范围:工作温度范围从 -55°C 到 175°C,适用于极端环境下的应用。
    5. 低导通电阻:典型导通电阻仅为 0.003Ω(VGS = 10V),适用于高效率转换应用。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:适用于电源冗余系统,确保系统在主电源失效时能够切换到备用电源。
    - 服务器电源管理:用于服务器电源系统的高效开关和稳压,提高能效。
    - DC/DC 转换器:适合于各类 DC/DC 转换器,尤其是高频应用中。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保散热器设计合理,以避免过热。
    - 使用高质量的电路板材料(如 FR4),以确保电气性能稳定。
    - 注意栅极驱动的设计,避免栅极振铃现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 具有标准 TO220 封装,易于与其他同类设备互换使用。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术支持和文档,帮助用户进行产品选型和设计优化。
    - 售后服务:供应商承诺在产品使用过程中提供及时的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压过高导致器件损坏。
    - 解决方案:检查电路设计,确保栅极驱动电压不超过规定值(±20V)。
    2. 问题:功率耗散过大,温度过高。
    - 解决方案:增加散热片面积或选择更高热阻的散热方案。
    3. 问题:导通电阻不稳定。
    - 解决方案:确认连接质量和温度控制,必要时重新计算散热需求。

    总结和推荐


    95N2LH5-VB TO220 MOSFET 是一款适用于多种工业应用的高性能 MOSFET。它具有卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,特别适合于高效率、高可靠性的应用场合。综合以上分析,强烈推荐在服务器电源管理和高频 DC/DC 转换器中使用该产品。

95N2LH5-VB TO220参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -

95N2LH5-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

95N2LH5-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 95N2LH5-VB TO220 95N2LH5-VB TO220数据手册

95N2LH5-VB TO220封装设计

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