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052N03S-VB QFN8(5X6)

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
供应商型号: 052N03S-VB QFN8(5X6) QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 052N03S-VB QFN8(5X6)

052N03S-VB QFN8(5X6)概述


    产品简介


    052N03S-VB 是一款N沟道30V MOSFET,采用QFN8(5x6)封装。这款电子元器件属于功率场效应晶体管(Power MOSFET)类别,特别适用于笔记本电脑核心(Notebook PC Core)和电压调节模块(VRM/POL)。它的设计旨在提高能效并降低功耗,使其成为现代电子产品中不可或缺的一部分。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 \( V{DS} \) | 30 | - | - | V |
    | 漏极连续电流 \( ID \) (25°C) | - | 120 | - | A |
    | 漏极脉冲电流 \( I{DM} \) | - | - | 250 | A |
    | 阈值电压 \( V{GS(th)} \) | 1.0 | 2.5 | - | V |
    | 导通电阻 \( R{DS(on)} \) (VGS=10V, ID=32A) | 0.003 | - | - | Ω |
    | 总栅极电荷 \( Qg \) (VDS=15V, ID=32A) | - | 71 | - | nC |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术:采用先进的TrenchFET技术,提高了开关速度和整体效率。
    2. 可靠性高:100% Rg和UIS测试,确保产品具有良好的可靠性和耐用性。
    3. 低导通电阻:在\( V{GS}=10V \)时,导通电阻仅为0.003Ω,显著降低了功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    052N03S-VB广泛应用于笔记本电脑核心和电压调节模块中。在这些应用场景中,它的高效能和低功耗特性使其成为最佳选择。例如,在笔记本电脑电源管理单元中,它可以用于实现高效的直流-直流转换,从而延长电池寿命。
    使用建议
    1. 热管理:由于该器件的最大功率耗散为210W(25°C),在使用过程中应注意散热问题,确保不会超过最大额定值。
    2. 负载匹配:在设计电路时,确保驱动器阻抗与器件的输出特性匹配,以避免信号失真。
    3. 布局优化:在PCB设计时,尽量将该器件放置在散热路径上,以提高散热效率。

    兼容性和支持


    052N03S-VB与多种常见的电压调节器和电源管理IC兼容,如德州仪器(TI)的TPS系列。此外,制造商提供了详细的技术支持文档,以及在线客服支持,以帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致器件过热。
    解决方案:增加散热片或风扇,提高散热效率,确保工作温度不超过最大额定值。
    2. 问题:驱动电流不足。
    解决方案:检查驱动电路是否匹配,必要时增加驱动能力。
    3. 问题:漏电流过大。
    解决方案:确保所有连接正确无误,同时检查电路板是否存在短路或接触不良的情况。

    总结和推荐


    052N03S-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道30V MOSFET,非常适合于需要高效率和低功耗的应用场合。其卓越的导通电阻和热稳定性使其成为现代电子产品的理想选择。强烈推荐给需要高性能MOSFET的设计师和工程师。

052N03S-VB QFN8(5X6)参数

参数
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -

052N03S-VB QFN8(5X6)厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

052N03S-VB QFN8(5X6)数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 052N03S-VB QFN8(5X6) 052N03S-VB QFN8(5X6)数据手册

052N03S-VB QFN8(5X6)封装设计

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