处理中...

首页  >  产品百科  >  65F6190-VB TO263

65F6190-VB TO263

产品分类:
产品描述:
供应商型号: 65F6190-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体  65F6190-VB TO263

65F6190-VB TO263概述

    N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    本技术手册详细介绍了VBsemi公司的N-Channel 650V(D-S)超级结MOSFET(型号为65F6190)。这种高性能MOSFET适用于多种应用场合,如电信、照明、消费和计算设备、工业焊接及电池充电、可再生能源(如太阳能逆变器)以及开关模式电源供应系统(SMPS)。其独特的设计特点使其在这些领域的应用中表现出色。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):650V
    - 最大漏极电流(TJ = 150 °C):13 A(TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):60 A
    - 最大功率耗散(PD):208 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 反向恢复时间(trr):160 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):1.2 μC
    - 输出电容(Coss):105 pF
    - 输入电容(Ciss):2322 pF
    - 总栅极电荷(Qg):106 nC
    - 栅源电荷(Qgs):14 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):33 nC

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss):有助于减少开关损耗。
    - 减少的反向恢复时间和电荷(trr和Qrr):显著降低由反向恢复导致的能量损失。
    - 超低栅极电荷(Qg):降低了驱动功耗。
    - 雪崩能量额定值(EAS):具有良好的抗冲击能力。
    - 优秀的散热性能:保证在高温环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    此MOSFET适用于多个领域,例如服务器和电信电源、高强度放电灯(HID)和荧光灯的球灯照明、ATX电源供应、工业焊接和电池充电设备以及太阳能逆变器。在这些应用中,该MOSFET表现出色的原因在于其优异的开关特性和高可靠性。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,注意选择合适的栅极电阻(Rg),以确保稳定的栅极驱动。
    - 确保电路设计具有良好的散热设计,以保持MOSFET在正常工作温度范围内。

    兼容性和支持


    该MOSFET为D2PAK封装,可以方便地安装在电路板上。厂商提供了完善的技术支持和服务热线(400-655-8788),以便于用户解决问题和获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何避免MOSFET过热?
    - A:确保电路中有良好的散热措施,如加装散热片或风扇,确保MOSFET的工作温度不超过150°C。

    - Q:反向恢复电荷过高怎么办?
    - A:可以选择外接肖特基二极管来减轻MOSFET的反向恢复压力,或者优化电路布局,减少杂散电感。

    总结和推荐


    VBsemi公司的N-Channel 650V(D-S)超级结MOSFET凭借其卓越的电气性能和广泛的应用范围,在电力转换和控制领域表现出了极大的潜力。它不仅具备出色的可靠性,而且在市场上具有很强的竞争力。因此,我们强烈推荐这款产品给那些需要高性能MOSFET的工程师和设计师。

65F6190-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

65F6190-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 VBSEMI/微碧半导体 65F6190-VB TO263 65F6190-VB TO263数据手册

65F6190-VB TO263封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
800+ ¥ 9.5015
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 116.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
0.731.301 ¥ 980.0982
0.87.0023.0 ¥ 113.6533
0.87.0033.0 ¥ 474.4184
0.87.0055.0 ¥ 33.4765
0.87.0089.0 ¥ 40.9428
0.891.606 ¥ 563.6136
0.891.607 ¥ 556.556
00 21 02 EL ¥ 5164.7191
00 21 36 LE ¥ 4503.9297