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D11NM60N-VB TO252

产品分类:
产品描述:
供应商型号: D11NM60N-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体  D11NM60N-VB TO252

D11NM60N-VB TO252概述

    电子元器件产品技术手册:D11NM60N TO-252 N-Channel Power MOSFET

    产品简介


    D11NM60N是一款高性能的N-通道增强型硅场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于各种电源管理和转换场合。它具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和快速开关能力等特点,适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强气体放电灯HID和荧光灯)。此外,它还适用于工业控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 600 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 10 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.5 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1471 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 32 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 3.5 | nC |
    | 栅极电荷 | Qgd | - | 7.5 | nC |
    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 限制 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDS | 650 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 77 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 87 | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 125 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 to +150 | °C |
    | 焊接推荐温度(峰值) | - | 300 | °C |

    产品特点和优势


    D11NM60N N-通道Power MOSFET的主要优势包括:
    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值为0.5Ω,适用于高效率电力转换。
    - 低输入电容(Ciss):有利于提高开关速度。
    - 快速开关性能:有效降低开关损耗,提高整体系统效率。
    - 优异的散热性能:能够承受高连续漏极电流和脉冲雪崩能量。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于服务器和电信电源的电源管理,特别是高密度服务器电源系统,可以提高能效并减少发热。
    - 在照明系统中,例如高强气体放电灯HID和荧光灯的驱动电路中,利用其快速开关特性和高耐压特性。
    使用建议:
    - 在设计时要确保适当的散热措施,避免因过热而导致性能下降。
    - 考虑到其快速开关特性,合理设置栅极电阻以防止过高的dV/dt导致不必要的栅极震荡。
    - 使用适当的保护措施来应对反向恢复过程中的电流尖峰,例如加入合适的缓冲电路。

    兼容性和支持


    D11NM60N Power MOSFET与其同类产品具有良好的兼容性,可广泛应用于不同品牌和型号的电源系统中。制造商提供了全面的技术支持,包括详细的使用指南、设计参考和售后服务,以帮助客户更好地理解和应用此产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品出现异常发热
    - 解决办法: 检查电路设计,确保适当的散热措施,检查是否有短路或其他可能导致过载的情况。

    2. 问题:栅极信号不稳定
    - 解决办法: 重新评估栅极驱动电路的设计,确保合适的栅极电阻值,并考虑使用屏蔽线来减少电磁干扰。

    3. 问题:系统运行时频繁复位
    - 解决办法: 仔细检查系统中的电源部分,确认供电稳定且没有突变;同时确认负载状态,避免过载导致复位。

    总结和推荐


    D11NM60N是一款在高效率电力转换和开关电源设计中表现卓越的N-通道增强型硅场效应晶体管。其显著特点包括低导通电阻、快速开关能力和优异的散热性能。在需要高可靠性、高效率的电源管理和照明应用中,该产品无疑是一个值得信赖的选择。鉴于其性能优势和广泛应用范围,我们强烈推荐将D11NM60N Power MOSFET纳入设计方案中。

D11NM60N-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

D11NM60N-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 VBSEMI/微碧半导体 D11NM60N-VB TO252 D11NM60N-VB TO252数据手册

D11NM60N-VB TO252封装设计

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