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6R600E6-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: 6R600E6-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R600E6-VB TO220

6R600E6-VB TO220概述


    产品简介


    6R600E6-VB TO220 MOSFET
    产品类型:N-Channel Power MOSFET
    主要功能:高效开关、低损耗和低栅极电荷(Qg)
    应用领域:服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、高亮度放电(HID)照明、荧光灯镇流器、工业控制等领域

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 连续漏电流(ID):7 A (TJ = 150 °C)
    - 脉冲漏电流(IDM):186 A
    - 击穿电压温度系数(ΔVDS/TJ):-0.65 V/°C
    - 阈值电压(VGS(th)):2 V 至 4 V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.50 Ω (VGS = 10 V, ID = 4 A)
    - 输入电容(Ciss):1470 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 总栅极电荷(Qg):21 nC (VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V)
    - 最大功耗(PD):5 W
    - 绝对最大额定值:最大结温(TJ, Tstg):-55 °C 到 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:6R600E6-VB 的栅极电荷较低,有助于减少开关过程中的能量损耗。
    - 低输入电容:低输入电容可减少开关过程中的充电时间,提升整体效率。
    - 超低的传导和开关损耗:显著降低了系统运行时的能耗,适用于需要高能效的应用场景。
    - 出色的重复性脉冲耐受能力:具备较高的单脉冲雪崩能量(EAS),提高了产品的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:在服务器电源和电信设备中,6R600E6-VB MOSFET 能有效降低能量损失并提高系统效率。在 HID 照明和荧光灯镇流器中,它也表现出色。
    使用建议:
    1. 在设计电路时,应考虑 MOSFET 的散热需求。为确保长期稳定运行,可以采用适当的散热措施,如安装散热片。
    2. 使用过程中应注意工作环境温度的变化,特别是在高温环境下运行时需特别注意防止过热。
    3. 建议使用低漏电电感布局,以降低干扰和增强信号质量。

    兼容性和支持


    兼容性:6R600E6-VB MOSFET 可以与大多数标准 TO-220 封装的产品兼容。建议在实际使用前进行详细检查,确保产品兼容性。
    厂商支持:厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品使用咨询、故障排查和更换服务。用户可以通过电话(400-655-8788)或官网(www.VBsemi.com)获取更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    - Q: 工作时 MOSFET 温度过高如何处理?
    A: 检查散热设计是否合理,如果需要,增加散热片或改进通风条件。

    - Q: 开关时出现过电压现象如何解决?
    A: 使用合适的缓冲电路来吸收过电压,确保电路稳定运行。

    - Q: MOSFET 启动时电流过大如何处理?
    A: 调整驱动电路的参数,确保电流平稳启动,避免瞬时冲击。

    总结和推荐


    6R600E6-VB TO220 MOSFET 是一款性能卓越的 N-Channel Power MOSFET,具有低栅极电荷、低输入电容和超低的传导和开关损耗。它广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器、荧光灯镇流器等场合,能够显著提升系统的能效和可靠性。因此,对于需要高能效和稳定性的应用场景,强烈推荐使用 6R600E6-VB MOSFET。

6R600E6-VB TO220参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

6R600E6-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R600E6-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R600E6-VB TO220 6R600E6-VB TO220数据手册

6R600E6-VB TO220封装设计

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