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IPB038N12N3GATMA1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IPB038N12N3GATMA1-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB038N12N3GATMA1-VB

IPB038N12N3GATMA1-VB概述


    产品简介


    IPB038N12N3GATMA1-VB 是一款N沟道150V(D-S)MOSFET,采用SGT(超结技术)制造。该器件具备出色的静态和动态特性,被广泛应用于电源管理、电机驱动及音频放大器等领域。具体应用包括不间断电源、开关电源、同步整流、DC/DC转换器、电机驱动、DC/AC逆变器、微型太阳能逆变器以及Class D音频放大器。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):150V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):25 °C 时 140A;70 °C 时 110A
    - 脉冲漏极电流(td = 100 μs):420A
    - 单次雪崩能量(EAS):880mJ
    - 最大功耗:25 °C 时 300W;100 °C 时 150W
    - 工作结温和存储温度范围:-55至+150°C
    额定性能参数
    - 静态漏源击穿电压(VDS):150V
    - 栅阈电压(VGS(th)):2.5V - 4.5V
    - 栅体漏电流(IGSS):±250nA
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1μA
    - 导通状态漏极电流(ID(on)):90A
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)):VGS = 10V 时 0.005Ω;VGS = 7.5V 时 0.015Ω
    - 转导电导(gfs):75S
    - 输入电容(Ciss):9900pF
    - 输出电容(Coss):246pF
    - 反向传输电容(Crss):21pF
    - 总栅极电荷(Qg):90nC - 96nC
    - 栅源电荷(Qgs):16.7nC
    - 栅漏电荷(Qgd):16.9nC
    - 栅阻抗(Rg):1.5Ω - 6Ω
    - 开启延时时间(td(on)):22ns - 31ns
    - 上升时间(tr):113ns - 225ns
    - 关闭延时时间(td(off)):35ns - 75ns
    - 下降时间(tf):93ns - 134ns

    产品特点和优势


    IPB038N12N3GATMA1-VB具有SGT技术带来的高效能和低功耗特点。其100%的Rg和UIS测试保证了产品的可靠性和稳定性。此外,该器件具有出色的热管理和低导通电阻,使其适用于各种高功率应用场合。其优异的动态性能使得它在高频应用中表现出色,例如在同步整流和开关电源中。由于其宽广的工作温度范围和较高的可靠性,该产品在市场上具有很强的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:IPB038N12N3GATMA1-VB 在开关电源中的应用非常广泛,尤其是在需要高效率和快速开关的应用中。其低导通电阻和高速开关能力使得它成为选择。
    - 同步整流:同步整流是一种重要的技术,可以大幅提高电源转换效率。IPB038N12N3GATMA1-VB 凭借其快速的开关特性和低导通电阻,非常适合于同步整流的应用。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,IPB038N12N3GATMA1-VB 可以有效控制电机的启动和停止,同时提供足够的电流输出。
    使用建议
    - 散热设计:由于该器件的最大功耗较高,建议在设计时充分考虑散热措施,如使用大面积散热片或散热器。
    - 输入电容匹配:为了充分发挥其性能,在使用时应注意输入电容的选择和匹配,以确保最佳的电性能表现。

    兼容性和支持


    - IPB038N12N3GATMA1-VB 设计上与其他常见的电子元器件和设备具有良好兼容性。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助客户进行正确的设计和安装。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件工作时温度过高。
    - 解决方案:确保使用适当的散热措施,并确认连接和布线正确,以减少不必要的热量产生。
    - 问题:器件出现损坏。
    - 解决方案:检查是否有过载或短路现象,并确认是否在额定电压和电流范围内运行。如有必要,更换合适的保护电路。

    总结和推荐


    总体而言,IPB038N12N3GATMA1-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适合在高功率、高频应用中使用。其出色的导通特性和低功耗使其成为许多电源管理和电机驱动系统的理想选择。对于寻求高效、可靠且成本效益高的解决方案的工程师来说,这款产品是一个不错的选择。

IPB038N12N3GATMA1-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-263

IPB038N12N3GATMA1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB038N12N3GATMA1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB038N12N3GATMA1-VB IPB038N12N3GATMA1-VB数据手册

IPB038N12N3GATMA1-VB封装设计

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500+ ¥ 6.1128
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