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AP9561GP-HF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,±60-65A,RDS(ON),0.012Ω@10V,0.014Ω@4.5V,40Vgs(±V);-1.5~-1.7Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: AP9561GP-HF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AP9561GP-HF-VB

AP9561GP-HF-VB概述

    AP9561GP-HF-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    AP9561GP-HF-VB 是一款高性能P沟道功率MOSFET,符合RoHS标准,适用于广泛的电力电子应用。这款器件主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域,通过高效的开关性能,能够提高系统的整体能效。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压 (VGS):± 40 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 175 °C):在 25 °C 时为 25 A,在 125 °C 时为 -62 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-60 A
    - 雷击电流 (IAR):-60 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):180 mJ (在 25 °C 下)
    - 最大耗散功率 (PD):在 TO-220AB 和 TO-263 包装中分别为 187 W 和 3.75 W
    - 工作结温范围:-55 °C 至 175 °C
    - 典型规格:
    - 漏源击穿电压 (VDS):-40 V (当 VGS = 0 V, ID = -250 µA)
    - 栅阈电压 (VGS(th)):-1.5 V 至 -1.7 V (当 VDS = VGS, ID = -250 µA)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):-1 A (当 VDS = -30 V, VGS = 0 V)
    - 开态漏极电流 (ID(on)):-120 A (当 VDS = -5 V, VGS = -10 V)
    - 开态漏源电阻 (RDS(on)):0.012 Ω (当 VGS = -10 V, ID = -30 A)
    - 输入电容 (Ciss):9000 pF (当 VGS = 0 V, VDS = -25 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):1565 pF
    - 反向转移电容 (Crss):715 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):160 nC 至 240 nC (当 VDS = -15 V, VGS = -10 V, ID = -75 A)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:AP9561GP-HF-VB 符合 RoHS 标准,确保在电气设备中无铅化。
    - 低导通电阻:在不同温度下具有出色的低导通电阻特性,适用于多种电力转换场景。
    - 高雪崩耐受能力:即使在高压冲击下也能保持稳定性能。
    - 良好的热性能:具备优秀的热阻特性,能够在高温环境下可靠工作。
    - 紧凑封装:TO-220AB 封装便于安装和集成,适合各种空间受限的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:用于高效开关电源设计,减少能量损耗。
    - 电机驱动:提供快速响应和高电流处理能力。
    - 逆变器:适合高效率逆变器系统,降低损耗并提高稳定性。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,应注意散热管理,以确保长期稳定运行。
    - 在选择驱动电路时,要匹配合适的栅极电阻,避免不必要的振铃效应。
    - 在低温环境中使用时,需考虑导通电阻的变化,合理规划负载分配。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:AP9561GP-HF-VB 与大多数常用的 PCB 材料(如 FR-4)兼容,适用于广泛的应用场合。
    - 技术支持:VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的数据手册、应用指南和在线咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常升高 | 检查工作温度是否超出正常范围,调整散热措施。 |
    | 驱动信号不稳定 | 确保驱动电路的阻抗匹配正确,增加栅极电阻。 |
    | 开关频率过低 | 检查驱动电路的设计,确保足够快的开关速度。 |

    7. 总结和推荐


    AP9561GP-HF-VB 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,适用于多种高要求的电力电子应用。其低导通电阻、高雪崩耐受能力和优异的热性能使其成为许多应用场景的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高效、可靠电力转换的系统中。

AP9561GP-HF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
通道数量 -
通用封装 TO-220

AP9561GP-HF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AP9561GP-HF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AP9561GP-HF-VB AP9561GP-HF-VB数据手册

AP9561GP-HF-VB封装设计

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