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IPP65R190C6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IPP65R190C6-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP65R190C6-VB

IPP65R190C6-VB概述

    IPP65R190C6-VB N-Channel 650V Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPP65R190C6-VB 是一款高性能的N沟道650V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有非常低的导通电阻(RDS(on)),高开关频率下的低损耗性能,并且具备出色的热稳定性和电气特性。该器件适用于多种高压应用,包括服务器和电信电源供应、照明系统、消费电子及计算设备、工业焊接设备、电池充电器以及可再生能源系统中的光伏逆变器等。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 单位 |
    |
    | 最大耐压 | 650 | V |
    | 导通电阻 (25°C) | 0.19 | Ω |
    | 栅极电荷 (Qg) | 71 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 14 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 33 | nC |
    | 输出电容 (Coss) | 105 | pF |
    | 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO) | 650 | V |

    产品特点和优势


    IPP65R190C6-VB 的关键特性包括:
    - 低反向恢复时间 (trr)
    - 低恢复电荷 (Qrr)
    - 低栅极电荷 (Qg)
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 高雪崩能量等级 (EAS)
    - 在高温条件下维持稳定的性能
    - 适合高密度集成和快速开关应用
    这些特性使其成为高压开关电源(如SMPS)的理想选择,特别是在要求低损耗和高效率的应用场合中表现出色。

    应用案例和使用建议


    IPP65R190C6-VB 主要应用于以下领域:
    - 服务器和电信电源供应
    - 高强度放电(HID)和荧光灯照明系统
    - ATX 电源
    - 工业焊接和电池充电器
    - 太阳能光伏逆变器
    在实际使用时,建议遵循以下几点:
    - 为保证长期稳定性,应在温度不超过150°C的环境中使用。
    - 确保栅极驱动信号的电压范围符合产品规范。
    - 针对高开关频率的应用,应适当增加散热措施以确保器件正常运行。

    兼容性和支持


    IPP65R190C6-VB 与其他高压功率MOSFET和相关组件具有良好的兼容性。厂商提供全面的技术支持,包括详细的数据手册、应用指南和技术文档等,以帮助客户更好地利用这一产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件出现过热现象
    - 解决方案: 增加散热片面积或改进散热设计,确保良好的热管理。
    2. 问题:开关损耗较高
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路,确保栅极信号波形正确,以降低开关损耗。
    3. 问题:输出电流不稳
    - 解决方案: 检查负载连接情况和外部电路,确保负载与电源稳定匹配。

    总结和推荐


    IPP65R190C6-VB 是一款专为高压高效率应用而设计的N沟道超级结MOSFET。其低损耗、高可靠性和良好的热稳定性使其在众多应用中表现出色。总体而言,该产品具有高度的竞争力和可靠性,是电源管理和控制领域的理想选择。强烈推荐给需要高性能高压MOSFET的用户。

IPP65R190C6-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220

IPP65R190C6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP65R190C6-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP65R190C6-VB IPP65R190C6-VB数据手册

IPP65R190C6-VB封装设计

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