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IRFP9140NPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;P—Channel沟道;-100V;-21A;RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=240mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;
供应商型号: IRFP9140NPBF-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFP9140NPBF-VB

IRFP9140NPBF-VB概述


    产品简介


    IRFP9140NPBF-VB P-Channel MOSFET 技术手册
    IRFP9140NPBF-VB 是一款高性能的P通道MOSFET,适用于高电压和大电流的应用场景。该产品具备快速开关能力和良好的并联性能,广泛应用于电源管理、电机控制及逆变器系统中。
    主要功能
    - 快速开关能力:能够在极短的时间内完成导通和关断操作。
    - 高可靠性:具有重复雪崩等级(Repetitive Avalanche Rated),确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
    - 广泛的工作温度范围:能够在-55°C到+175°C的环境中正常运行。
    - RoHS合规:符合欧盟的RoHS标准,绿色环保。
    应用领域
    - 电源管理:如开关电源、DC-DC转换器等。
    - 电机驱动:适用于电动工具、工业自动化设备中的电机控制系统。
    - 逆变器系统:用于光伏逆变器、UPS等电力转换设备。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | ± 20 | V |
    | 漏源电压 | VDS | - 100 | - | - | V |
    | 漏源连续电流 | ID | - 21 | - | - 15 | A |
    | 峰值漏极电流 | IDM | - 84 | - | - | A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.20 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1400 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 590 | - | pF |
    | 转移电容 | Crss | - | 140 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 61 | - | nC |
    | 门源电荷 | Qgs | - | 14 | - | nC |
    | 门漏电荷 | Qgd | - | 29 | - | nC |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 动态dV/dt额定值:允许更高的瞬态电压变化率,适合高速开关应用。
    - 重复雪崩等级:能够在不损坏的情况下承受多次雪崩事件。
    - 高工作温度:能够承受高达175°C的工作温度,适合极端环境。
    - 低输入电容:减少开关损耗,提高效率。
    市场竞争力
    IRFP9140NPBF-VB 的高可靠性和广泛的温度适应性使其在高性能应用中表现出色,尤其是在需要长时间稳定工作的工业场合中,其表现尤为突出。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFP9140NPBF-VB 在一个典型的逆变器系统中被使用,系统需要处理高功率输出和频繁的开关操作。在该应用中,IRFP9140NPBF-VB 表现出色,实现了高效稳定的能量转换。
    使用建议
    1. 散热设计:由于其高功耗特性,需要合理设计散热片,以确保良好的热稳定性。
    2. 布线考虑:为减少寄生电感,建议采用低电感的电路布局,特别是在栅极和漏极之间。
    3. 并联应用:为了增强并联能力,可采用多个器件并联的方式,以提高整体输出电流。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRFP9140NPBF-VB 可以方便地与现有的电子元器件和设备兼容,便于集成和使用。
    支持
    - 技术支持:台湾VBsemi提供详细的技术文档和专家支持。
    - 售后服务:公司承诺提供优质的售后服务和技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 优化散热设计,增加散热片面积。 |
    | 开关损耗较大 | 减少开关次数,降低开关频率。 |
    | 短路保护失效 | 检查电路布局,确保没有短路风险。 |

    总结和推荐


    综上所述,IRFP9140NPBF-VB 是一款性能卓越、可靠性高的P通道MOSFET,适用于多种高电压和大电流的应用场景。其强大的动态dV/dt额定值、重复雪崩等级和广泛的温度适应性,使其在市场上具有显著的竞争优势。无论是工业自动化还是电力管理系统,IRFP9140NPBF-VB 都是理想的选择。
    推荐使用:鉴于其卓越的性能和广泛的应用前景,强烈推荐将IRFP9140NPBF-VB用于需要高性能和高可靠性的电子系统中。

IRFP9140NPBF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 21A
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@10V,240mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-247

IRFP9140NPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFP9140NPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFP9140NPBF-VB IRFP9140NPBF-VB数据手册

IRFP9140NPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8436
100+ ¥ 4.4848
500+ ¥ 4.3053
900+ ¥ 4.126
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