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IRFP9240PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;P—Channel沟道;-100V;-21A;RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=240mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;
供应商型号: IRFP9240PBF-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFP9240PBF-VB

IRFP9240PBF-VB概述

    产品概述:IRFP9240PBF-VB P-Channel MOSFET

    产品简介


    IRFP9240PBF-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种高电压和大电流场景中。其主要功能包括动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关能力和良好的并联能力。这些特点使其适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种领域。

    技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压 (VDS): -100 V
    - 门源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): -10 V时,25°C为-21 A,100°C为-15 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -84 A
    - 最大热阻抗 (RthJA): 40 °C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 0 V时,ID = -250 μA为-100 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): VDS = VGS时,ID = -250 μA为2.0-4.0 V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS): VDS = -100 V时,VGS = 0 V时为100 μA
    - 导通电阻 (RDS(on)): -10 V时,ID = -13 A为0.20 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 0 V时,-25 V,1.0 MHz时为1400 pF
    - 输出电容 (Coss): 590 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 140 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): -10 V,-19 A时为61 nC
    - 门源电荷 (Qgs): 14 nC
    - 门极电荷 (Qgd): 29 nC
    - 瞬态特性
    - 开启延迟时间 (td(on)): -50 V,-19 A时为16 ns
    - 上升时间 (tr): 73 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 34 ns
    - 下降时间 (tf): 57 ns

    产品特点和优势


    1. 动态dv/dt额定值:该特性使MOSFET能够在高电压变化率下稳定运行,提高了可靠性。
    2. 重复雪崩额定值:具备高能量承受能力,适用于高压环境下的频繁开关操作。
    3. 快速开关能力:低开启延迟时间和上升时间,使得IRFP9240PBF-VB在高频应用中表现出色。
    4. 易于并联:简化了多个MOSFET并联的配置过程,便于设计大电流应用。
    5. 高工作温度范围:最高工作温度可达175°C,适合高温环境。

    应用案例和使用建议


    IRFP9240PBF-VB在电源转换、电机驱动等领域有广泛应用。例如,在电动车充电系统中,它能够承受高电压和大电流,同时保证高效稳定的转换。使用建议包括:
    1. 优化散热:由于其较高的最大热阻抗,建议采用有效的散热措施以避免过热。
    2. 适当并联:如果需要更大的电流输出,可以将多个MOSFET并联使用,并确保它们之间同步工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFP9240PBF-VB采用TO-247AC封装,易于与其他电子元件或设备兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持文档和应用指南,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件发热严重,导致过热。
    - 解决办法:增加散热器,确保良好的热管理。

    - 问题:电流不稳定,难以控制。
    - 解决办法:检查电路布局,特别是降低寄生电感的影响,确保电流路径最短。

    总结和推荐


    IRFP9240PBF-VB凭借其高性能和多功能性,在高电压、大电流的应用场合中表现优异。它的快速开关能力、重复雪崩额定值以及易于并联的特点使其在市场上具有较强的竞争力。总体而言,我们强烈推荐这款产品用于需要高可靠性和高效率的应用场景。

IRFP9240PBF-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 21A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@10V,240mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-247

IRFP9240PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFP9240PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFP9240PBF-VB IRFP9240PBF-VB数据手册

IRFP9240PBF-VB封装设计

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