处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB107N20NA-VB

IPB107N20NA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263;N—Channel沟道,200V;88A;RDS(ON)=9.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: IPB107N20NA-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB107N20NA-VB

IPB107N20NA-VB概述

    IPB107N20NA N-Channel 200 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPB107N20NA 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力电子应用。其典型应用包括不间断电源系统、交流/直流开关模式电源、照明系统、同步整流、DC/DC 转换器、电机驱动开关、直流/交流逆变器、太阳能微型逆变器以及 Class D 音频放大器。此款 MOSFET 的最大结温为 175°C,采用ThunderFET® 技术,具备出色的热稳定性和耐用性。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):200 V
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时为 0.0076 Ω
    - 在 VGS = 7.5 V 时为 0.0086 Ω
    - 栅极电荷 (Qg):58 nC
    - 连续漏电流 (ID):100 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):180 mJ
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏电流 (ID):100 A(TC = 25 °C),62 A(TC = 125 °C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):60 A
    - 最大耗散功率 (PD):375 W(TC = 25 °C),125 W(TC = 125 °C)
    - 操作结温和存储温度范围:-55 °C 至 +175 °C

    产品特点和优势


    - ThunderFET® 技术:确保优异的热稳定性和高可靠性。
    - 高温工作能力:可承受高达 175 °C 的结温,适合严苛环境应用。
    - 可靠测试:100% Rg 和 UIS 测试,保证产品质量。
    - 广泛的应用范围:适应多种电力电子设备,提升系统效率和性能。

    应用案例和使用建议


    - 不间断电源系统 (UPS):确保在电源故障情况下持续供电,通过选择合适的栅极驱动电压,优化 RDS(on) 以降低损耗。
    - 交流/直流开关模式电源:使用适当的散热设计,确保在高温环境下稳定运行。
    - 电机驱动开关:注意散热设计和选择合适的栅极驱动电压,以减少开关损耗并提高效率。

    兼容性和支持


    - 与各种标准 PCB 尺寸兼容,特别适用于 1 英寸正方形 PCB。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用产品特性并解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:栅极电压不足导致 MOSFET 无法正常工作。
    - 解决方案:检查并调整栅极电压,确保 VGS 达到规定要求。

    - 问题 2:长时间高负载运行导致过热。
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或使用强制风冷系统。

    总结和推荐


    IPB107N20NA MOSFET 以其高可靠性、出色的耐高温能力和广泛应用范围,成为电力电子领域的优秀选择。其广泛的应用范围和良好的性能表现使其在市场上具有很强的竞争力。因此,强烈推荐在电力电子系统中使用此款 MOSFET,尤其是在需要高可靠性、宽温度范围和高性能的应用环境中。

IPB107N20NA-VB参数

参数
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
通用封装 TO-263

IPB107N20NA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB107N20NA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB107N20NA-VB IPB107N20NA-VB数据手册

IPB107N20NA-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 15.7424
100+ ¥ 14.5763
500+ ¥ 13.4102
1000+ ¥ 12.8271
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 157.42
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504