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IPB009N03LG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263-7;2个N—Channel沟道,40V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: IPB009N03LG-VB TO263-7
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB009N03LG-VB

IPB009N03LG-VB概述

    IPB009N03L G-VB N-Channel 40V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IPB009N03L G-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道40V(D-S)MOSFET,其主要特性包括TrenchFET®功率MOSFET,低热阻封装和全面的可靠性测试。该器件适用于需要高功率密度和高效能的应用场合,例如开关电源、电机驱动和照明控制等领域。

    技术参数


    以下是IPB009N03L G-VB的主要技术规格:
    | 参数 | 规格 | 备注 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 40V
    | 门限电压(VGS(th)) | 2.5V 至 3.5V
    | 漏极电流(ID) | 200A @ VGS = 10V
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.0015Ω @ VGS = 10V, ID = 30A
    | 最大脉冲门极电阻(Rg) | 1.8Ω @ 1MHz
    | 热阻抗(RthJA) | 40°C/W | 板载PCB FR4材料,1"平方 |

    产品特点和优势


    IPB009N03L G-VB具有以下几个显著特点:
    - TrenchFET®技术:该技术使得IPB009N03L G-VB具有非常低的导通电阻和优异的动态性能。
    - 高可靠性:100%进行了Rg和UIS测试,确保产品在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 低热阻封装:通过低热阻封装,可以有效减少器件的温升,提高工作稳定性。
    - 广泛的工作温度范围:工作温度范围为-55°C至+175°C,适合于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    IPB009N03L G-VB被广泛应用于开关电源、电机驱动和LED照明等场合。例如,在一个典型的开关电源应用中,IPB009N03L G-VB能够提供低损耗、高效的开关能力。为了优化其性能,建议在设计时考虑以下几点:
    - 电路布局:合理安排PCB布局,确保散热良好。
    - 驱动电路:选用合适的驱动电路,以确保MOSFET在开关过程中的快速响应。

    兼容性和支持


    IPB009N03L G-VB具有良好的兼容性,可与其他标准接口的器件配合使用。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、设计咨询和技术文档下载等服务。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题1: 通电后,MOSFET发热异常严重。
    - 解决方案: 检查电路布局,确保散热措施到位。同时检查负载情况,避免过载运行。
    - 问题2: MOSFET出现关断不完全的现象。
    - 解决方案: 检查驱动电路的门极电阻设置,确保有足够的驱动电流来实现快速关断。

    总结和推荐


    IPB009N03L G-VB是一款高性能的N沟道40V MOSFET,其低导通电阻和高可靠性使其成为多种应用场景的理想选择。无论是开关电源还是电机驱动,IPB009N03L G-VB都能提供卓越的性能表现。因此,强烈推荐使用该产品,特别是在需要高效率和稳定性的场合。

IPB009N03LG-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 180A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-263-7

IPB009N03LG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB009N03LG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB009N03LG-VB IPB009N03LG-VB数据手册

IPB009N03LG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.7175
100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
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