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IXFP7N80P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: IXFP7N80P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFP7N80P-VB

IXFP7N80P-VB概述


    产品简介


    IXFP7N80P-VB
    IXFP7N80P-VB 是一款N沟道800V(D-S)超级结功率MOSFET,适用于高压直流转换、电机控制、开关电源和其他电力电子应用。其特点包括快速开关能力、简单的驱动需求和并联容易,使其成为高效率应用的理想选择。

    技术参数


    - 电压额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 800 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 持续漏极电流 \( I{D} \): 5 A (25°C), 3.9 A (100°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 21 A
    - 最大功率耗散 \( P{D} \): 190 W (25°C)
    - 动态参数
    - 动态 \( dV/dt \) 额定值
    - 重复雪崩额定值
    - 快速开关
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 100 μA (800 V), 500 μA (640 V, 125°C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 800 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 V - 4.0 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 1.2 Ω (VGS = 10 V, ID = 3.7 A)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3100 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 800 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 490 pF
    - 总栅极电荷 \( Q{g} \): 200 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 24 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 110 nC
    - 热阻抗
    - 最大结至环境热阻 \( R{thJA} \): 40 °C/W
    - 案件至散热器热阻 \( R{thCS} \): 0.24 °C/W
    - 最大结至案件热阻 \( R{thJC} \): 0.65 °C/W

    产品特点和优势


    - 动态 \( dV/dt \) 额定值 和 重复雪崩额定值 增强了产品的可靠性。
    - 快速开关 特性提高了效率。
    - 简单驱动要求 减少了设计复杂度。
    - 并联容易 使多芯片配置更灵活。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC 确保环保。
    - 隔离开关孔 提高了装配时的稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 高压直流转换器:适用于电动汽车充电站和工业电源系统,确保高效且可靠的转换。
    - 电机控制:用于电动机调速系统,提高系统效率和响应速度。
    - 开关电源:可广泛应用于电信设备、服务器电源等,提供稳定的输出电压和电流。
    使用建议:
    - 在高频应用中,注意控制\( dV/dt \),避免因瞬态电压过高导致的损坏。
    - 设计散热系统时,考虑散热片的设计以降低热阻,确保散热效果。
    - 在多芯片并联应用中,均匀分配电流,确保每个芯片负载均衡。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXFP7N80P-VB 与其他标准的TO-220封装元器件兼容。
    - 技术支持:VBsemi提供详细的技术文档和在线支持,以帮助客户进行产品集成和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高频开关应用中,如何防止门极振荡?
    - 解决方案:使用适当的门极电阻和门极电容来抑制振荡。同时,在电路设计中增加滤波电容,减小寄生电感的影响。
    2. 问题:长时间使用后,器件温度过高如何处理?
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或风扇,确保良好的空气流通。优化电路布局,减少热集中区域。
    3. 问题:多芯片并联时,电流分布不均如何解决?
    - 解决方案:使用相同的引脚间距和尺寸的MOSFET,确保并联连接的一致性。使用均流电阻或其他均流技术来平衡电流分布。

    总结和推荐


    综合评估:IXFP7N80P-VB是一款性能优异的N沟道800V功率MOSFET,具备快速开关、高可靠性、简单的驱动需求等特点。其优秀的性能和广泛的应用范围使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐:强烈推荐在需要高效、可靠且易于集成的高压电力电子应用中使用 IXFP7N80P-VB。特别是在高频、高压和高温环境下,其表现出色。

IXFP7N80P-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 800V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220

IXFP7N80P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFP7N80P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFP7N80P-VB IXFP7N80P-VB数据手册

IXFP7N80P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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