处理中...

首页  >  产品百科  >  WFU5N50-VB

WFU5N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: WFU5N50-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFU5N50-VB

WFU5N50-VB概述

    WFU5N50 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WFU5N50 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于电源转换、电机控制、电池充电器等电力电子设备中的开关应用。其独特的设计使得它具备较低的栅极电荷(Qg),简单驱动要求,以及高可靠性的栅极、雪崩及动态 dV/dt 特性。此外,WFU5N50 符合 RoHS 指令,适用于无铅焊接工艺,符合环保要求。

    2. 技术参数


    以下是 WFU5N50 的主要技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 最大连续漏电流 (ID):TC=25°C 时为 5A;TC=100°C 时为 4A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):16A
    - 导通电阻 (RDS(on)):TC=25°C 时为 0.95Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大 15nC
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):120mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR):34A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR):未提供具体数值
    - 最大功率耗散 (PD):TC=25°C 时为 205W

    3. 产品特点和优势


    WFU5N50 的主要特点是:
    - 低栅极电荷:低栅极电荷降低了驱动要求,简化了电路设计。
    - 改进的耐用性:提高了栅极、雪崩和动态 dV/dt 的坚固性,提升了整体可靠性。
    - 完全表征的电容:提供了在不同条件下的栅源电容(Ciss)、输出电容(Coss)等参数,确保良好的电气性能。
    - 符合环保标准:符合 RoHS 标准,适合现代电子产品生产。

    4. 应用案例和使用建议


    WFU5N50 可广泛应用于各类开关电源中,例如:
    - 电机控制:利用其高耐压能力进行逆变电路设计。
    - LED 照明:用于 LED 驱动器中的开关,提高效率。
    - 新能源汽车充电器:通过其高功率处理能力应对大电流需求。
    使用建议:
    - 在高温环境中,需注意散热措施,避免超过最大结温限制。
    - 设计驱动电路时,要考虑到低栅极电荷带来的好处,减少驱动功率损耗。

    5. 兼容性和支持


    WFU5N50 采用 TO-220AB、TO-252 和 TO-251 封装形式,兼容大多数标准电路板设计。厂商提供详细的技术支持文档和在线服务热线,客户可以获取安装指南、常见问题解答等资源。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及其解决方案:
    - Q:如何正确安装该 MOSFET?
    - A: 需要按照制造商提供的安装指南操作,确保使用正确的螺钉扭矩,以防止安装不当导致损坏。
    - Q:在高温环境下工作会有什么影响?
    - A: 高温会影响器件的性能和寿命,应尽量保持温度低于最大允许值,并采取有效的散热措施。
    - Q:如何测试 MOSFET 的各项参数?
    - A: 可参考技术手册中的典型测试电路进行测量,确保测试结果准确可靠。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WFU5N50 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有优秀的电气特性和可靠性,适用于多种电力电子设备的应用。建议在需要高效率和高可靠性的场合选择此型号。总体来说,这是一款值得推荐的产品,但需要根据具体应用仔细评估和配置。

WFU5N50-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251

WFU5N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFU5N50-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFU5N50-VB WFU5N50-VB数据手册

WFU5N50-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
4000+ ¥ 2.3759
库存: 400000
起订量: 10 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504