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HM5N60I-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: HM5N60I-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM5N60I-VB

HM5N60I-VB概述


    产品简介


    HM5N60I 是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源转换和电机控制等领域。此款MOSFET具备低栅极电荷(Qg)和改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性。其典型应用包括电源适配器、电池充电器、太阳能逆变器和电动车辆控制系统。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.95Ω (VGS = 10V)
    - 最大总栅极电荷(Qg(Max)):15nC
    - 输入电容(Ciss):320pF
    - 输出电容(Coss):75pF
    - 反向传输电容(Crss):500pF (VGS = 0V, VDS = 1.0V)
    - 门源电荷(Qgs):3nC
    - 门漏电荷(Qgd):6nC
    - 连续漏电流(ID):5A (VGS = 10V, TC = 25°C), 4A (TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):120mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):34A
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 热阻(RthJA):未指定,但需注意在不同温度下的功率耗散限制。

    产品特点和优势


    HM5N60I 的设计旨在提高系统的效率和可靠性。其关键特性包括:
    - 低栅极电荷(Qg):这减少了驱动要求,使电路更加简单和高效。
    - 改进的鲁棒性:包括增强的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压及电流:这提供了更高的可靠性和更好的系统设计能力。
    - 符合RoHS标准:确保产品环保且安全。

    应用案例和使用建议


    应用场景:HM5N60I 在许多高压电源应用中表现出色。例如,在电动车辆(EV)充电器中,它能够有效处理高电压和大电流,从而实现更高效的能量转换。此外,它也可以用于太阳能逆变器,提供稳定的电源输出。
    使用建议:
    - 驱动电路:为保证高效运行,需要合理选择栅极电阻(RG),以优化开关时间和降低功耗。
    - 散热管理:由于较高的功率耗散,需要适当的散热措施来保持稳定的工作温度。
    - 布局设计:在PCB设计时应考虑低杂散电感和接地平面的使用,以减少电磁干扰(EMI)。

    兼容性和支持


    HM5N60I 具有良好的兼容性,适用于各种电源管理和电机控制设备。供应商提供全面的技术支持和客户服务,包括技术咨询、产品培训和售后维修服务。此外,文档和技术资料齐全,便于用户进行深度了解和设计。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 高温下功率耗散增加:当工作温度超过额定值时,功率耗散会显著增加。建议通过使用散热器或液冷系统来维持适宜的工作温度。
    2. 开关时间较长:如果发现开关时间过长,可以检查驱动电路的设计,确保栅极电阻和电容的选择适当。
    3. 过电流保护:长时间过电流可能导致损坏。应在电路中加入合适的过流保护措施。
    解决方案:
    - 改善散热条件:安装散热片或使用散热风扇,确保设备在安全范围内运行。
    - 优化驱动电路:根据具体应用调整驱动电路参数,以缩短开关时间并提高整体效率。
    - 添加保护电路:设计合适的过流保护电路,防止过电流导致设备损坏。

    总结和推荐


    HM5N60I 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有出色的鲁棒性、低栅极电荷和良好的电气特性。其在高压电源应用中的表现尤为出色,非常适合于电动车辆充电器和太阳能逆变器等场景。考虑到其卓越的性能和广泛的应用前景,强烈推荐使用HM5N60I 进行高压电源系统的设计和开发。

HM5N60I-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-251

HM5N60I-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM5N60I-VB数据手册

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HM5N60I-VB封装设计

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