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U5N50TA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: U5N50TA-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) U5N50TA-VB

U5N50TA-VB概述

    U5N50TA MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    U5N50TA 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于电源转换、电机控制、DC-DC 转换器、开关电源等高能效领域。这款 MOSFET 以其低导通电阻和高效能的特点,适用于各种工业和消费电子产品中。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):650V
    - 最大连续漏极电流 (ID):5A(TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):16A
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V 时为 0.95Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):15nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):3nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):6nC
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):120mJ
    - 反向恢复时间 (trr):180ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):2.1~3.2μC
    - 结点温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 封装类型:TO-220AB, TO-252, TO-251

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):简化驱动要求,降低了驱动电路的复杂度和成本。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性:确保长期可靠运行,降低故障率。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特性:保证在极端条件下表现稳定。
    - 符合 RoHS 指令:环保且合规,适用于对环境要求高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    U5N50TA MOSFET 广泛应用于开关电源、电机控制器等设备中。例如,在一个典型的应用中,U5N50TA 被用于逆变器的开关环节,实现了高效的直流到交流转换。根据手册中的数据,我们可以推断在高温环境下,应适当降低负载电流以避免过热现象。同时,考虑到其高速开关特性,建议使用低电感布线和良好接地设计,以减少信号噪声和电磁干扰。

    兼容性和支持


    U5N50TA MOSFET 与常见的电源模块和其他 MOSFET 设备兼容。制造商提供详细的技术支持,包括产品手册、技术咨询和售后服务,确保客户能够顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确连接 U5N50TA?
    解决办法:请参照制造商提供的安装指南,确保正确连接所有引脚。使用 TO-220AB 封装时,G(栅极)连接到驱动电路,D(漏极)连接到负载,S(源极)连接到公共端。
    2. 问题:如何选择合适的栅极电阻 (RG)?
    解决办法:参考手册中的数据,选择合适的 RG 可以优化开关时间和减少开关损耗。通常情况下,RG 在几欧姆到几十欧姆之间。
    3. 问题:在高温环境下使用时需要注意什么?
    解决办法:手册建议当温度超过 100°C 时,应限制最大漏极电流以防止过热。建议使用散热器来辅助散热。

    总结和推荐


    综上所述,U5N50TA MOSFET 是一款高性能的功率 MOSFET,具有低栅极电荷、高耐久性和良好的热稳定性等特点。适用于多种高能效应用领域,如开关电源、电机控制和 DC-DC 转换器。尽管价格较高,但由于其卓越的性能和可靠性,我们强烈推荐使用这款产品。

U5N50TA-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
通用封装 TO-251

U5N50TA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

U5N50TA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 U5N50TA-VB U5N50TA-VB数据手册

U5N50TA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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