处理中...

首页  >  产品百科  >  FQP8N80C-VB

FQP8N80C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 14M-FQP8N80C-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP8N80C-VB

FQP8N80C-VB概述

    FQP8N80C-VB N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    FQP8N80C-VB 是一款N沟道超级结功率MOSFET,专为高电压和高电流应用设计。其额定耐压值高达800V,具有优异的开关特性和低导通电阻,适用于各种工业和消费电子设备中的电源管理和转换应用。该产品采用TO-220AB封装形式,便于安装和散热。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 (VDS) | 800 | - | V |
    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | 2.0 | 4.0 | V |
    | 栅源漏电 (IGSS) | - | ± 100 | nA |
    | 零栅压漏电流 (IDSS) | - | - | μA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 1.2 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | - | 200 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | - | 24 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | - | 110 | nC |
    | 内部引脚电感 (LD) | - | 5.0 | nH |
    | 内部引脚电感 (LS) | - | 13 | nH |

    产品特点和优势


    - 快速开关:由于其低栅极电荷和快速恢复特性,该MOSFET能够在高频应用中实现快速开关。
    - 并联操作简便:易于并联使用,有助于实现更大的电流处理能力。
    - 简单的驱动需求:需要较少的驱动电路复杂性,降低了整体系统成本。
    - 符合RoHS标准:产品符合RoHS标准,确保环保和安全使用。

    应用案例和使用建议


    FQP8N80C-VB MOSFET广泛应用于各种高电压和高功率应用中,如电机控制、电源逆变器和直流-直流转换器。建议在设计过程中注意以下几点:
    - 确保驱动电路的稳定性和可靠性,以充分发挥其开关特性。
    - 使用适当的散热措施,防止过热损坏。
    - 考虑到高电流应用可能引起的EMI问题,应合理布局PCB以降低寄生电感。

    兼容性和支持


    该产品与大多数工业标准接口兼容,方便集成到现有系统中。制造商提供详细的技术支持文档和客户服务,确保用户能够高效利用产品性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免过高的栅极电压导致损坏?
    - 解决办法:使用栅极限流电阻和稳压电路,将栅极电压限制在安全范围内。
    2. 问题:产品在高温环境下工作不稳定?
    - 解决办法:优化散热设计,例如使用更大的散热片或增加风扇冷却。

    总结和推荐


    总体而言,FQP8N80C-VB是一款性能卓越、应用广泛的N沟道超级结功率MOSFET。它具备快速开关、简单驱动和并联操作的优势,特别适合高电压和高功率的应用场合。考虑到其优秀的电气特性和制造商提供的支持,强烈推荐在需要高可靠性和高性能的应用中使用该产品。

FQP8N80C-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 TO-220

FQP8N80C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP8N80C-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP8N80C-VB FQP8N80C-VB数据手册

FQP8N80C-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.7603
10+ ¥ 7.0674
30+ ¥ 6.6717
100+ ¥ 5.8757
1000+ ¥ 5.654
3000+ ¥ 5.5431
库存: 10
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 7.76
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336