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FQPF6N90C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220F;N—Channel沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: FQPF6N90C-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF6N90C-VB

FQPF6N90C-VB概述

    FQPF6N90C-VB N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    FQPF6N90C-VB 是一款高性能的 N-通道超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具备900伏特的额定耐压能力和较低的导通电阻,适用于多种高压应用。其独特设计使其在高频开关电源、电机驱动和新能源等领域表现优异。本产品不仅符合欧盟RoHS标准,还具有快速开关、易于并联等特性,是替代传统硅基MOSFET的理想选择。

    技术参数


    - 额定耐压 \( V{DS} \): 900V
    - 最大导通电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS}=10V \)): 1.2Ω
    - 总栅极电荷 \( Qg \)(最大值): 200nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 24nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 110nC
    - 连续漏极电流 \( ID \)(\( TJ=25°C \)): 5A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 21A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 770mJ
    - 反复雪崩电流 \( I{AR} \): 7.8A
    - 反复雪崩能量 \( E{AR} \): 19mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \)(\( TJ=25°C \)): 190W
    - 峰值二极管恢复 \( dV/dt \): 2.0V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 \( TJ, T{stg} \): -55至+150°C
    - 热阻抗 \( R{thJA} \): 40°C/W
    - 峰值焊锡温度 \( Tc \)(峰值温度10秒): 300°C

    产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 评级:具备高dv/dt耐受能力,保证在高压和高电流波动下的稳定运行。
    - 重复雪崩额定:能承受高重复雪崩能量,适合于要求频繁短时冲击的应用场合。
    - 隔离中央安装孔:安装简单且稳定,减少安装时的机械应力。
    - 快速开关:优秀的开关速度和低开关损耗,适合高频应用。
    - 简易驱动要求:驱动简单,降低了系统复杂度和成本。
    - 兼容RoHS标准:绿色材料,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:可用于开关电源的设计中,提高转换效率。
    - 电机驱动:适用于各种工业电机驱动,减少能耗,提高可靠性。
    - 新能源应用:如光伏逆变器、风力发电系统等,满足高耐压和低损耗的要求。
    使用建议:
    - 优化布局:在电路设计时,注意减小寄生电感,以提高效率。
    - 散热管理:合理规划散热措施,确保在高功率工作时的安全稳定。

    兼容性和支持


    - 与其他器件兼容:FQPF6N90C-VB可与其他标准的MOSFET和相关电路元件良好配合使用。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,确保用户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    - Q: 为什么开关时间很长?
    - A: 检查驱动电阻是否过高,调整到合适的范围(通常为几欧姆至几十欧姆)。
    - Q: 开关时发热严重怎么办?
    - A: 确保良好的散热设计,采用散热片或水冷等方式增加散热效率。
    - Q: 如何避免损坏?
    - A: 严格遵循操作规范,控制输入电压和电流不超过额定值,注意安装时的机械应力。

    总结和推荐


    综上所述,FQPF6N90C-VB是一款高性能、低功耗的N-通道超级结功率MOSFET,非常适合用于高压应用领域。其高耐压、快速开关和易于并联的特点使其在各类高压电源、电机驱动和新能源应用中表现出色。考虑到其卓越的功能和可靠性,强烈推荐用于这些领域。

FQPF6N90C-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F

FQPF6N90C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF6N90C-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF6N90C-VB FQPF6N90C-VB数据手册

FQPF6N90C-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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