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JCS5N50VT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: JCS5N50VT-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS5N50VT-VB

JCS5N50VT-VB概述

    JCS5N50VT N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    JCS5N50VT 是一款适用于电源管理领域的 N-Channel MOSFET(电子开关)。
    主要功能:
    - 低门极电荷(Qg): 使得驱动要求简化。
    - 增强的门极耐受性、雪崩耐受性和动态dV/dt耐受性: 增强了整体的耐用性和可靠性。
    - 全特性化电容和雪崩电压及电流: 保证了高度可靠的工作性能。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC: 符合环保标准。
    应用领域:
    广泛应用于开关电源、电机控制、电源转换等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | - | 650 | - | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 10V时 | 0.95 | - | Ω |
    | 总门极电荷(Qg) | - | 15 | - | nC |
    | 输入电容(Ciss) | - | 320 | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | 75 | - | pF |
    | 门极电荷(Qgs) | - | 3 | - | nC |
    | 门极-漏极电荷(Qgd) | - | 6 | - | nC |
    | 栅极-源极阈值电压(VGS(th)) | - | 2.0-4.0 | - | V |
    | 栅极-源极漏电流(IGSS)| - | - | ±100 | nA |
    | 无栅极电压漏极电流(IDSS)| - | - | 10 | µA |

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg): 使驱动需求简化,降低功耗。
    - 增强的耐受性: 改善了门极、雪崩和动态dV/dt耐受性,增加了产品的可靠性和稳定性。
    - 全面特性化: 全面的电容和电压电流特性确保了稳定的工作条件。
    - 环保合规: 符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子设计要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源系统中作为功率调节器。
    - 电机控制系统中作为开关元件。
    - 逆变器中用于高效能的电源转换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时需注意最大功率损耗限制。
    - 考虑到驱动电路的设计,建议使用较低的门极电阻以减少延迟时间。
    - 确保散热良好,特别是在高频开关情况下。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与大多数标准驱动电路兼容。
    - 适用于多种封装类型(如TO-220AB、TO-252等)。
    支持:
    - 提供详细的技术文档和支持服务。
    - 官方技术支持热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温工作环境下性能下降 | 确保良好的散热措施 |
    | 高频开关过程中出现振铃现象 | 减少寄生电感,使用合适的门极电阻 |
    | 过载情况下的保护机制不触发 | 检查保护电路设置 |

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    JCS5N50VT N-Channel MOSFET 以其低门极电荷、增强的耐受性和全面的特性化使其成为开关电源和电机控制系统的理想选择。它的广泛应用范围、可靠的性能和环保合规性使其在市场上具有很高的竞争力。
    推荐:
    强烈推荐使用JCS5N50VT MOSFET,特别适合需要高效能和可靠性的应用场合。通过适当的设计和散热措施,可以最大化发挥其潜力。

JCS5N50VT-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 TO-251

JCS5N50VT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS5N50VT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS5N50VT-VB JCS5N50VT-VB数据手册

JCS5N50VT-VB封装设计

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