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VBM18R05S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBM18R05S TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM18R05S

VBM18R05S概述


    产品简介


    产品名称:VBM18R05S / VBMB18R05S
    VBM18R05S / VBMB18R05S 是一款N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高频开关应用。它具备高动态 dv/dt 额定值、重复雪崩额定值、隔离中央安装孔、快速开关、易于并联、驱动要求简单等特点。这些特性使得它适用于多种电力转换和控制应用。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | - | 800 | - | V |
    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 (IGSS) | - | - | ±100 | nA |
    | 零栅源电压漏电流 (IDSS) | - | - | 100 | μA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | 1.2 | - | Ω |
    | 输入电容 (Ciss) | - | 3100 | - | pF |
    | 输出电容 (Coss) | - | 800 | - | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | - | 490 | - | pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) | - | - | 200 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | - | 24 | - | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | - | - | 110 | nC |
    | 瞬态热阻 (RthJA) | - | 40 | - | °C/W|

    产品特点和优势


    1. 高动态dv/dt 额定值:使该器件能够在高电压和高频下稳定工作。
    2. 重复雪崩额定值:提高了器件的可靠性。
    3. 快速开关:降低了开关损耗,提高效率。
    4. 隔离中央安装孔:便于散热和安装。
    5. 易于并联:简化了多器件并联时的连接方式。
    6. 简单驱动要求:降低了驱动电路的设计复杂度。
    7. 符合RoHS标准:环保材料,适用于现代电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 用于高频开关电源(如DC-DC转换器)。
    - 在电机驱动器和逆变器中作为开关元件。
    - 用于储能系统中的能量转换和管理。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,确保电路布局低杂散电感,以避免振铃现象。
    - 利用接地平面减少信号干扰。
    - 选择合适的栅极电阻值,以平衡开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    - 该器件支持与现有开关电源拓扑结构(如半桥、全桥等)兼容。
    - 厂商提供详尽的技术支持和维护文档,帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开关过程中出现振铃现象
    - 解决方案:优化电路布局,减小杂散电感;增加滤波电容以吸收振铃能量。
    2. 问题:温度过高导致性能下降
    - 解决方案:确保良好的散热设计,采用合适的散热器或散热片。

    总结和推荐


    总结:
    VBM18R05S / VBMB18R05S 以其高动态 dv/dt 额定值、快速开关和简单的驱动要求,在高频开关应用中表现出色。其重复雪崩额定值和符合RoHS标准使其成为绿色环保和高性能的选择。
    推荐:
    我们强烈推荐此产品用于需要高效、高可靠性的高频开关应用中。其出色的性能和稳定性使其成为市场上的有力竞争者。

VBM18R05S参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220

VBM18R05S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM18R05S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM18R05S VBM18R05S数据手册

VBM18R05S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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