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JCS4N80CH-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: JCS4N80CH-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS4N80CH-O-C-N-B-VB

JCS4N80CH-O-C-N-B-VB概述

    JCS4N80CH-O-C-N-B-VB 电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    JCS4N80CH-O-C-N-B-VB是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种电子元器件广泛应用于电源转换、电机驱动、照明系统等领域,以其出色的动态特性和高可靠性著称。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - VDS (Breakdown Voltage): 800V
    - RDS(on) (On-State Resistance): 1.2Ω @ VGS = 10V
    - Qg (Total Gate Charge): 200nC
    - Qgs (Gate-Source Charge): 24nC
    - Qgd (Gate-Drain Charge): 110nC
    - ISD (Maximum Continuous Drain Current): 5A @ TJ = 25°C, 3.9A @ TJ = 100°C
    - IMD (Pulsed Drain Current): 21A
    - Maximum Power Dissipation: 190W @ TJ = 25°C
    - Operating Junction Temperature Range: -55°C to +150°C
    - Thermal Resistance (RthJA): 40°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 动态dV/dt等级:适合高速开关应用,可有效降低电磁干扰(EMI)。
    - 重复雪崩额定值:具备高可靠性和耐用性,适用于高压高频应用环境。
    - 中央隔离孔:简化安装和散热管理,提高设计灵活性。
    - 快速开关:减少能量损失,提高能效。
    - 简单的驱动要求:易于集成到现有电路中,无需复杂的驱动电路。
    - 符合RoHS指令:环保且符合国际标准。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品适用于多种高压电力转换场景,例如DC-DC转换器、开关电源、电动汽车充电系统等。对于需要高频开关的应用场合,可以考虑如下使用建议:
    - 确保良好的散热设计以防止过热。
    - 在高电流密度区域使用大尺寸PCB以减小杂散电感。
    - 使用低漏感电流变压器来减少噪声。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品具有良好的驱动兼容性,可与其他常见的驱动电路兼容。
    - 支持:提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛和技术支持热线(400-655-8788),确保用户能够及时获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断MOSFET是否损坏?
    - 解决办法:测量漏极-源极电阻,如果显著高于正常值,则可能已损坏。
    - 问题2:如何减少开关损耗?
    - 解决办法:优化驱动信号波形,选择合适的栅极电阻以减少振铃现象。

    7. 总结和推荐


    综上所述,JCS4N80CH-O-C-N-B-VB是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具备出色的动态性能和耐用性,特别适合于高压高频电力转换应用。其简单易用的特点使其成为众多工程项目的理想选择。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的应用场景。

JCS4N80CH-O-C-N-B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 800V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 TO-220

JCS4N80CH-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS4N80CH-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS4N80CH-O-C-N-B-VB JCS4N80CH-O-C-N-B-VB数据手册

JCS4N80CH-O-C-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
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