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HM7N80-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: HM7N80-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM7N80-VB

HM7N80-VB概述

    HM7N80-VB N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HM7N80-VB 是一款N沟道800V超级结功率MOSFET(漏源电压)。这种高性能器件具有出色的开关特性和低导通电阻,适用于各种高电压电力转换应用,如开关电源、电机驱动、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):800V
    - 栅源电压 (VGS):± 20V
    - 连续漏极电流 (ID):3.9A @ 25°C, 5A @ 100°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):21A
    - 最大雪崩能量 (EAS):770mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR):7.8A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR):19mJ
    - 最大耗散功率 (PD):190W @ 25°C
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):40°C/W
    - 门限电压 (VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)):1.2Ω @ 10V
    - 输入电容 (Ciss):最大 3100pF
    - 输出电容 (Coss):最大 800pF
    - 反向转移电容 (Crss):最大 490pF
    - 总栅电荷 (Qg):最大 200nC
    - 门源电荷 (Qgs):24nC
    - 门漏电荷 (Qgd):110nC

    产品特点和优势


    - 动态dv/dt额定值:具备良好的瞬态响应能力。
    - 重复雪崩额定值:可承受高的重复雪崩电流和能量,保证长期稳定运行。
    - 隔离中心安装孔:简化安装和散热设计。
    - 快速开关:提高电路的效率和可靠性。
    - 易于并联:便于设计复杂多管并联电路。
    - 简单的驱动要求:降低外围电路的设计难度。
    - 符合RoHS指令:环保合规,适应国际标准。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:应用于高效率开关电源的设计中,例如服务器电源、通信电源等。建议使用软开关技术减少开关损耗。
    - 电机驱动:用于工业自动化中的电机驱动,建议选择合适的驱动电路来匹配其驱动需求。
    - 太阳能逆变器:作为太阳能发电系统中的关键组件,建议定期检查电路连接以确保安全稳定运行。
    - 电动汽车充电系统:可用于车载充电系统的设计,建议进行充分的热设计以避免过热。

    兼容性和支持


    HM7N80-VB 与其他电子元器件具有良好的兼容性,且制造商提供详细的技术文档和支持服务。如有需要,可以联系台湾VBsemi的客服团队获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 如何确定产品的最佳工作温度范围?
    - A1: 确保产品的操作结温范围为-55°C至+150°C。如果需要超过此范围的应用,建议采取额外的热管理措施。

    - Q2: 如何测量产品的雪崩能量?
    - A2: 使用专门的测试电路来测量雪崩能量,确保遵循手册中的指导步骤。

    - Q3: 在高电压应用中如何避免过热?
    - A3: 在设计电路时,需要考虑散热设计,使用适当的散热器或强制风冷以防止器件过热。

    总结和推荐


    综上所述,HM7N80-VB是一款性能卓越的N沟道800V超级结功率MOSFET。它具有出色的开关性能和较低的导通电阻,非常适合用于高电压电力转换应用。建议在各类高电压电力系统中使用该产品,并严格按照制造商提供的使用指南进行安装和维护。因此,我们强烈推荐此产品给需要高性能电力转换解决方案的工程师和设计师。

HM7N80-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220

HM7N80-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM7N80-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM7N80-VB HM7N80-VB数据手册

HM7N80-VB封装设计

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