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IXTX200N10L2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;N—Channel沟道,100V;320A;RDS(ON)=2.92mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: IXTX200N10L2-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTX200N10L2-VB

IXTX200N10L2-VB概述

    IXTX200N10L2-VB N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTX200N10L2-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有以下主要功能和应用领域:
    - 功能:适用于开关电源、电机驱动、照明系统和功率转换电路等领域。
    - 应用领域:广泛应用于通信设备、消费电子、工业自动化以及汽车电子等场合。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术参数和技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
    | 门源漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | - | - | 120 | A |
    | 开启状态下漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.0020 | 0.0080 | Ω |
    | 动态特性
    | 输入电容 | Ciss | - | 9780 | 12230 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 3070 | 3840 | pF |
    | 门源电荷 | Qg | - | 125 | 190 | nC |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 40 | 60 | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(on) | - | 1 | 25 | ns |
    | 开启延迟时间 | tr | - | 110 | 165 | ns |

    3. 产品特点和优势


    IXTX200N10L2-VB 的独特功能和优势包括:
    - 低导通电阻:在10V门源电压下的典型值为0.002Ω,有效降低功耗。
    - 高热稳定性:采用低热阻封装,确保在高电流条件下保持稳定。
    - 全测试覆盖:100%栅极电阻和雪崩测试,保证可靠性。
    - 快速开关速度:开启动态响应迅速,显著减少开关损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    根据手册提供的应用场景,以下是实际使用场景分析及建议:
    - 应用案例:应用于工业自动化控制系统,尤其是在要求高效能、高速度切换的场景。
    - 使用建议:
    - 在高电流环境下使用时,注意散热措施以确保设备稳定运行。
    - 考虑到其优异的动态响应特性,建议在需要快速切换的应用中发挥其最大效能。

    5. 兼容性和支持


    IXTX200N10L2-VB 具有良好的兼容性,能够与多种电路板设计无缝集成。厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的数据手册、样品试用以及在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下列出了常见的问题及其解决方法:
    - 问题:开机瞬间过高的电流冲击。
    - 解决办法:增加外部保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS)。

    - 问题:长时间使用后温度升高导致性能下降。
    - 解决办法:增加散热片或使用风扇辅助散热。

    7. 总结和推荐


    IXTX200N10L2-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,具备卓越的导通特性和出色的热稳定性。对于追求高效、高可靠性应用的设计者而言,此款产品无疑是理想的选择。综上所述,强烈推荐该产品用于各类高电流应用场合。

IXTX200N10L2-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.92mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Id-连续漏极电流 320A
通用封装 TO-247

IXTX200N10L2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTX200N10L2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTX200N10L2-VB IXTX200N10L2-VB数据手册

IXTX200N10L2-VB封装设计

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