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FU12N25D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO251;N—Channel沟道,250V;17A;RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: FU12N25D-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FU12N25D-VB

FU12N25D-VB概述

    FU12N25D N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FU12N25D 是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种高压应用。它具有250V的击穿电压(VDS)和高达17A的连续漏极电流(ID)。FU12N25D 主要用于电力转换、电机驱动和逆变器等领域,凭借其卓越的动态开关性能和高可靠性,成为电源管理和工业控制的理想选择。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 击穿电压(VDS): 250V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.176Ω(VGS = 10V)
    - 最大栅极电荷(Qg max.): 68nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs): 11nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 35nC
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID): 17A(TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 56A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 550mJ
    - 重复雪崩电流(IAR): 17A
    - 重复雪崩能量(EAR): 13mJ
    - 最大功耗(PD): 125W(TC = 25°C)
    - 热阻:
    - 结温到环境的热阻(RthJA): 62°C/W
    - 案到散热器的热阻(RthCS): 0.50°C/W

    3. 产品特点和优势


    FU12N25D 具备以下几个显著的特点和优势:
    - 动态 dv/dt 评级: 高速开关能力使其适用于高频应用。
    - 重复雪崩额定: 能够承受高能雪崩情况,增加了系统的可靠性和耐用性。
    - 快速开关: 减少了开关损耗,提高了能效。
    - 并联容易: 易于并联以提高电流处理能力。
    - 简单的驱动要求: 需要的驱动功率低,降低了驱动电路的成本和复杂度。
    这些特点使得 FU12N25D 在各种电力转换和电机控制应用中表现出色,特别适合那些需要高效率和稳定性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    FU12N25D 可广泛应用于以下场景:
    - 电源转换器: 由于其高耐压和低导通电阻,适用于各种直流到直流转换器。
    - 电机驱动: 快速开关能力和高可靠性使其非常适合电机驱动应用。
    - 逆变器: 重复雪崩电流和能量指标使其能够承受极端的负载条件。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意降低寄生电感,以减少电压尖峰。
    - 确保接地平面的良好连接,提高系统的稳定性。
    - 根据具体应用选择合适的栅极电阻(Rg),以优化开关速度和减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    FU12N25D 与大多数标准电源驱动器兼容,便于集成到现有系统中。制造商提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户进行有效的设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确测量栅极电荷?
    - A: 使用如图13所示的测试电路,确保栅极电阻(Rg)和驱动电压(VGS)满足要求。
    - Q: 如何优化热管理?
    - A: 选择合适的散热器,并确保良好的热传导路径。参考图11了解最大瞬态热阻抗。
    - Q: 在高温环境下,如何保证设备的可靠性?
    - A: 设计时需考虑温度对RDS(on)的影响,参考图4中的数据进行校正。

    7. 总结和推荐


    FU12N25D 是一款优秀的N沟道MOSFET,具备高电压、高电流和高可靠性的特点,非常适合电力转换和电机驱动应用。其快速开关性能和易于并联的优势,使其在市场上具有较强的竞争力。综上所述,强烈推荐使用FU12N25D进行高性能电力管理设计。
    联系方式:服务热线:400-655-8788

FU12N25D-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 17A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251

FU12N25D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FU12N25D-VB数据手册

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FU12N25D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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