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IXFX420N10T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;N—Channel沟道,100V;320A;RDS(ON)=2.92mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: IXFX420N10T-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFX420N10T-VB

IXFX420N10T-VB概述

    IXFX420N10T-VB N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFX420N10T-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel TrenchFET® 功率 MOSFET,适用于多种电力转换应用。这款 MOSFET 集成了低热阻封装设计,可以提供出色的电流处理能力和可靠的热管理能力。其主要功能包括高电流承载能力和低导通电阻(RDS(on)),适合用于电池管理系统、电机驱动器、电源转换电路等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 100V
    - 最大连续漏极电流(ID): 320A (TC = 25°C), 240A (TC = 125°C)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 0.0020 Ω (VGS = 10V, ID = 20A)
    - 0.0054 Ω (VGS = 10V, ID = 30A, TC = 125°C)
    - 0.0080 Ω (VGS = 10V, ID = 30A, TC = 175°C)
    - 栅极阈值电压(VGS(th)): 2.5V 至 3.5V
    - 栅极漏电(IGSS): ≤ ±100 nA
    - 最大栅极电阻(Rg): 5 Ω
    - 输入电容(Ciss): 9780 pF 至 12230 pF
    - 输出电容(Coss): 3070 pF 至 3840 pF
    - 反向传输电容(Crss): 305 pF 至 385 pF
    - 安全工作区:
    - 脉冲电流 (ISM): 480A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 366 mJ
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 123A

    产品特点和优势


    IXFX420N10T-VB 具有以下几个独特的优势:
    - 高效率: 由于其低导通电阻和高性能的栅极驱动特性,IXFX420N10T-VB 在大多数电力应用中能提供极高的效率。
    - 高可靠性: 采用 TrenchFET® 设计,具有优异的热管理和高可靠性。
    - 低功耗: 低导通电阻减少了在大电流条件下器件的功耗。
    - 快速开关: 短的开关时间和低栅极电荷确保了其在高频应用中的优越性能。

    应用案例和使用建议


    IXFX420N10T-VB 在多种应用中表现良好,例如:
    - 电机驱动: 其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合电机控制和驱动应用。
    - 电源转换: 作为电源转换电路中的关键组件,它能够提供高效的电力转换。
    - 电池管理系统: 具有高可靠性和低功耗特性,适合用于电池充电和放电管理。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于器件功耗较高,应在散热设计上投入足够的关注,确保良好的散热效果。
    - 驱动电路: 使用适当的栅极驱动器以确保快速而稳定的开关性能。

    兼容性和支持


    IXFX420N10T-VB 通常与其他标准的 MOSFET 配件和电路兼容。制造商提供了一系列技术支持和服务,包括安装指南、常见问题解答和保修政策。客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 这个器件的最大漏源电压是多少?
    - A: IXFX420N10T-VB 的最大漏源电压为 100V。
    - Q: 导通电阻在什么条件下测量?
    - A: 导通电阻在 VGS = 10V 和 ID = 20A 条件下测量。
    - Q: 如何选择合适的栅极驱动器?
    - A: 选择栅极驱动器时,需要考虑其驱动电流和电压等级,以确保足够的驱动能力。

    总结和推荐


    IXFX420N10T-VB N-Channel MOSFET 是一款高效、可靠且广泛应用的产品,适合于各种电力转换和控制应用。其低导通电阻和快速开关时间使其成为市场上同类产品中的佼佼者。强烈推荐给需要高性能电力转换解决方案的应用场合。

IXFX420N10T-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 320A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.92mΩ@ 10V
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-247

IXFX420N10T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFX420N10T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFX420N10T-VB IXFX420N10T-VB数据手册

IXFX420N10T-VB封装设计

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