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VBMB18R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220F;N—Channel沟道,Super Junction Power MOSFET 800V;20A;RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBMB18R20S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB18R20S

VBMB18R20S概述


    产品简介


    本产品是VBsemi公司生产的VBM18R20S/N-Channel MOSFET,是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET。该产品以其低导通电阻(RDS(on))和高开关频率能力而著称,在众多应用中表现出色,尤其是在电源管理、照明控制以及工业应用等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):800V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 持续漏极电流(TJ = 150°C):20A
    - 单脉冲雪崩能量:691mJ
    - 最大功率耗散(PD):250W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 瞬态结温到环境热阻(RthJA):62°C/W
    - 瞬态结温到外壳热阻(RthJC):0.55°C/W
    规格(TJ = 25°C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):800V
    - 漏源开启电阻(RDS(on)):0.24Ω
    - 总栅电荷(Qg):110nC
    - 栅源电荷(Qgs):15nC
    - 栅漏电荷(Qgd):32nC
    - 开启延迟时间(td(on)):45ns
    - 关断延迟时间(td(off)):110ns
    - 热瞬态阻抗(RthJA):62°C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):0.24Ω,保证了在高电流应用中的高效转换。
    - 低输入电容(Ciss):降低了开关损耗,提高工作效率。
    - 超低栅极电荷(Qg):减少了驱动损耗,适合高频应用。
    - 雪崩能量等级(UIS):支持大功率应用时的安全操作。
    - 宽温度范围:可在-55°C至+150°C范围内正常工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和通信电源:提供高效的直流到直流转换。
    - 开关模式电源供应器(SMPS):确保稳定的电力输出。
    - 功率因数校正(PFC)电源:提高能效,减少电力浪费。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯。
    使用建议
    - 在高频应用中,考虑选择合适的栅极电阻以减小寄生电感。
    - 在高功率应用中,采用散热片或热管以保证良好的热传导。
    - 使用时需注意驱动电压范围和保护电路的设计,避免过压和过流情况。

    兼容性和支持


    - 该产品支持常见的TO-220AB和TO-247AC封装,易于安装。
    - 提供详细的技术支持和文档,用户可以访问官方网站获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下工作不稳定
    - 解决方案:检查散热设计,确保适当的热阻和散热片的使用。
    2. 问题:开关频率过高导致发热严重
    - 解决方案:降低驱动频率或增加栅极电阻以降低开关损耗。
    3. 问题:产品损坏
    - 解决方案:检查应用电路设计,确认过压和过流保护措施。

    总结和推荐


    VBM18R20S/N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,广泛应用于各类电源管理和工业控制系统中。其优秀的性能指标、较低的成本使其在市场上具有很强的竞争优势。如果你需要一个高效且可靠的MOSFET来实现你的电力转换需求,这款产品是非常值得推荐的选择。

VBMB18R20S参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220F

VBMB18R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB18R20S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB18R20S VBMB18R20S数据手册

VBMB18R20S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
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