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FQA30N40-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,47A,RDS(ON),70mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO-3P
供应商型号: FQA30N40-VB TO3P
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQA30N40-VB

FQA30N40-VB概述

    FQA30N40-VB N-Channel 600V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FQA30N40-VB 是一款由VBsemi生产的N-Channel超级结功率MOSFET。它采用TO-3P封装,主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明、工业等多个领域的应用。这款MOSFET具有低通态电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),使其成为高性能电力电子应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 600 | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.06 | Ω |
    | 栅极电荷(Qg) | 273 | nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | 46 | nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | 79 | nC |
    | 连续漏极电流(ID) | 47 | A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | 142 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量(EAS) | 1410 | mJ |
    | 最大功耗(PD) | 415 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55至+150 | °C |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):低栅极电荷可以减少开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):低输入电容有助于快速开关,提高系统的响应速度。
    - 减少开关和导通损耗:这些特性使该MOSFET在高频应用中表现出色。
    - 超低栅极电荷:进一步降低开关损耗,提高效率。
    - 雪崩能量额定值(UIS):增强可靠性,能够在高压冲击下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源:适用于数据中心和电信基站,提供高效的电力管理。
    - 照明:高密度放电灯(HID)和荧光灯球的控制。
    - 工业:焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统(如太阳能光伏逆变器)等。
    使用建议:
    - 在服务器和电信电源应用中,由于其低损耗特性,可以显著提升整体能效。
    - 在照明系统中,其高能效特性有助于延长灯具寿命并减少能源消耗。
    - 在工业应用中,应注意散热设计以确保长期稳定运行。特别是在高温环境下,要考虑到结温限制。

    兼容性和支持


    FQA30N40-VB 与现有的大多数电路板设计高度兼容。厂商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、测试方法和售后服务。客户还可以通过服务热线(400-655-8788)获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择正确的驱动电压?
    - 解答:根据技术手册,最佳的驱动电压为10V。超过此电压可能增加栅极应力。

    - 问题2:如何确定最大连续漏极电流?
    - 解答:根据温度变化,最大连续漏极电流会有所下降。具体数值可以在技术手册中查到。

    - 问题3:如何处理散热问题?
    - 解答:良好的热管理至关重要。可以使用散热片或散热器来提高散热效果,避免过热。

    总结和推荐


    FQA30N40-VB 是一款高性能的N-Channel超级结功率MOSFET,具有低栅极电荷、低输入电容和高雪崩能量额定值等特性。其在多种应用中的高效表现和稳定性使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐在需要高性能电力管理的场合中使用此产品。此外,厂商提供的全面支持和详细文档也将为使用者带来极大的便利。

FQA30N40-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 47A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-3P

FQA30N40-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQA30N40-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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FQA30N40-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 26.9929
500+ ¥ 24.8335
1000+ ¥ 23.7537
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