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IRFP22N60KPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: IRFP22N60KPBF-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFP22N60KPBF-VB

IRFP22N60KPBF-VB概述


    产品简介


    IRFP22N60KPBF-VB N-Channel 650 V MOSFET 技术手册概述
    产品类型: N-Channel 650 V Super Junction MOSFET
    主要功能: 高速开关,低导通电阻(RDS(on)),快速恢复能力
    应用领域:
    - 电信:服务器和电信电源
    - 照明:高强度放电灯(HID)及荧光灯照明
    - 消费类与计算:ATX 电源
    - 工业:焊接和电池充电器
    - 可再生能源:太阳能(光伏逆变器)
    - 开关模式电源(SMPS)

    技术参数


    - VDS (最大击穿电压): 650 V
    - RDS(on) (导通电阻): 在25°C下,10V VGS时为0.19Ω
    - Qg (总栅极电荷): 最大值106 nC
    - Qgs (栅源电荷): 14 nC
    - Qgd (栅漏电荷): 33 nC
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C): 13 A (TC = 25°C),10 V VGS时为2 A
    - 脉冲漏极电流: 53 A
    - 单次脉冲雪崩能量: 367 mJ
    - 最大功率耗散: 208 W
    - 结温和存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 瞬态热阻: 最大结至环境热阻62°C/W,结至外壳最大热阻5°C/W

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在相同电压下的同类产品中,这款MOSFET拥有较低的导通电阻,减少了损耗,提高了效率。
    - 快速恢复能力: 由于其较低的反向恢复时间和电荷,使得该MOSFET能够实现快速的开关操作,适合高频应用。
    - 高可靠性: 通过严格的测试标准确保了该产品的耐用性和长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 服务器和电信电源: 利用其高可靠性,在高压环境中提供稳定且高效的电力供应。
    - ATX 电源: 其低损耗特性非常适合需要高效率转换的ATX电源系统。
    - 焊接设备: 快速开关能力和低损耗使其适用于各种工业焊接设备。
    - 电池充电器: 适用于要求高精度和快速响应时间的电池充电器。
    使用建议
    - 散热设计: 由于该MOSFET具有较高的功率耗散,建议采用良好的散热设计以防止过热。
    - 电路布局: 尽量减少寄生电感和杂散电容,以保证最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性: 该产品与现有的开关电源设计高度兼容,无需进行大量电路调整即可集成。
    支持: 提供详细的技术手册和在线技术支持,确保客户能够充分利用该产品的各项特性。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 散热不足导致过温保护 | 确保散热片接触良好,增加风扇辅助散热 |
    | 开关频率过高导致开关损耗增大 | 适当降低开关频率,优化栅极驱动电阻值 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: 该产品具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于多种高压应用场合。
    - 推荐使用: 对于追求高效能和高可靠性的高压电力电子应用,如电信电源、ATX 电源和工业控制等领域,IRFP22N60KPBF-VB 是一个非常值得选择的产品。

IRFP22N60KPBF-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFP22N60KPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFP22N60KPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFP22N60KPBF-VB IRFP22N60KPBF-VB数据手册

IRFP22N60KPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
900+ ¥ 8.7706
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