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JCS2N60V-R-V-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: JCS2N60V-R-V-N-B-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60V-R-V-N-B-VB

JCS2N60V-R-V-N-B-VB概述

    JCS2N60V-R-V-N-B MOSFET 技术手册概览



    1. 产品简介




    JCS2N60V-R-V-N-B 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类电子元器件广泛应用于各种电力转换系统中,例如开关电源、逆变器和马达驱动等场合。MOSFET 具有高效率、低功耗的特点,是现代电子设备中不可或缺的元件之一。


    2. 技术参数




    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
    | 栅源电压 | VGS | ± 30 V |
    | 击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 栅漏电荷 | Qg 11 nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) 5 Ω |
    | 连续栅源充电 | QGS 2.3 nC |
    | 连续漏极电流 | ID 1.28 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 165 mJ |
    | 反向恢复时间 | trr 180 | 230 | ns |
    | 有效输出电容 | Coss eff. | pF |


    3. 产品特点和优势




    - 低门电荷:JCS2N60V-R-V-N-B 的低门电荷降低了驱动要求,提高了系统整体效率。
    - 改进的鲁棒性:具有更高的门电、雪崩和动态 dV/dt 耐受力,使得该 MOSFET 在严苛的环境中也能稳定工作。
    - 完全表征:所有关键参数如电容和雪崩电压、电流都经过全面测试和验证,确保可靠性和一致性。
    - 符合环保标准:该产品符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和无卤素标准 JEDEC JS709A,体现了制造商对环境保护的承诺。


    4. 应用案例和使用建议




    应用案例:

    - 开关电源中的高压侧开关
    - 高效逆变器中的桥臂组件
    - 工业电机控制系统的驱动器

    使用建议:

    - 为防止过压损坏,应正确选择合适的驱动电路和外部保护元件。
    - 确保良好的散热设计以延长使用寿命并避免过热。
    - 在高温环境下工作时,应注意功率限制以保持系统稳定运行。


    5. 兼容性和支持




    - 兼容性:JCS2N60V-R-V-N-B 可与标准 IPAK (TO-251) 封装的其他电子元件无缝兼容。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,包括典型应用电路图和详细的设计指南,帮助用户快速上手。


    6. 常见问题与解决方案




    - 问题 1: 初始安装时,MOSFET 意外损坏。
    - 解决办法: 确认所有外部电路和驱动信号正确连接,避免瞬态电压过高导致击穿。

    - 问题 2: 工作过程中温度异常升高。
    - 解决办法: 检查散热片是否安装妥当且未被遮挡,考虑使用热管或风扇加强散热效果。

    - 问题 3: 门极电荷不足影响正常工作。
    - 解决办法: 选用合适的门极驱动器,检查门极电阻设置是否合理。


    7. 总结和推荐




    JCS2N60V-R-V-N-B MOSFET 展现了出色的性能、可靠的耐用性和丰富的功能组合,使其成为高压电力转换应用的理想选择。其低门电荷和改进的鲁棒性显著提升了系统效率和可靠性,适用于广泛的工业和商业环境。因此,强烈推荐给需要高效、可靠 MOSFET 解决方案的设计工程师和系统集成商。

JCS2N60V-R-V-N-B-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N60V-R-V-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60V-R-V-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N60V-R-V-N-B-VB JCS2N60V-R-V-N-B-VB数据手册

JCS2N60V-R-V-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
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