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FQPF3N50C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: FQPF3N50C-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF3N50C-VB

FQPF3N50C-VB概述

    FQPF3N50C-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FQPF3N50C-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-220FULLPAK封装形式。该器件以其低栅极电荷(Qg)和高开关速度著称,适合广泛的应用场景。主要功能包括提供高效的开关控制能力,适用于电源管理、电机驱动、电池管理系统及工业控制等领域。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数类别 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 2.5 | - | Ω (VGS=10V)|
    | 栅极总电荷 | Qg | - | 48 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 80 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 1912 | - | pF |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 最大耗散功率 | PD | - | - | 30 | W |
    | 绝对最大重复雪崩能量 | EAR | - | - | 6 | mJ |
    备注:所有额定值均在规定的条件下进行测试。过电压/过电流可能会影响设备寿命和可靠性。
    3. 产品特点与优势
    1. 低功耗设计:通过优化的栅极电荷,简化驱动电路设计,降低功耗并提高效率。
    2. 高可靠性:具备出色的抗雪崩、瞬态电压及动态dv/dt能力,确保在极端条件下的稳定运行。
    3. 环保合规:完全符合RoHS指令2002/95/EC要求,且无卤素材料。
    4. 全工作温度范围支持:从-55°C到+150°C,满足严苛环境需求。
    4. 应用案例与使用建议
    FQPF3N50C-VB MOSFET非常适合以下应用领域:
    1. 电源转换:用于AC-DC和DC-DC转换器,特别是在高频开关模式下表现优异。
    2. 电机驱动:用于工业自动化中的直流电动机控制。
    3. 新能源汽车:作为电动车中的辅助电源模块,实现高效能源转换。
    使用建议:
    - 在高压场合使用时,建议通过合适的栅极电阻限制峰值电流。
    - 在高频开关过程中,避免过高频率导致热累积问题。
    5. 兼容性与支持
    该产品支持多种驱动电路,具有良好的兼容性。制造商提供全面的技术支持文档,包括详尽的设计指南和案例分析,同时提供售后服务热线(400-655-8788)以帮助客户解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关时间不稳定 | 调整驱动电路中的栅极电阻阻值。 |
    | 散热效果差 | 使用更大的散热片或优化PCB布局。 |
    | 雪崩事件导致失效 | 减少脉冲宽度或优化负载条件。 |
    7. 总结与推荐
    综上所述,FQPF3N50C-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET器件,特别适用于需要高效率和高稳定性的应用场景。它的低功耗特性、宽工作温度范围及环保特性使其成为市场上的理想选择。强烈推荐此产品用于需要高性能功率管理的项目中。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

FQPF3N50C-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQPF3N50C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF3N50C-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF3N50C-VB FQPF3N50C-VB数据手册

FQPF3N50C-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
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型号 价格(含增值税)
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