处理中...

首页  >  产品百科  >  J382-VB

J382-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: J382-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J382-VB

J382-VB概述


    产品简介


    产品类型及主要功能
    本产品为P沟道30V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为J382。该器件采用TrenchFET® Power MOSFET技术,具备低导通电阻和高效率的优点,适用于负载开关和笔记本适配器开关等应用场合。
    应用领域
    - 负载开关:用于电源管理中的开关操作,实现高效能的电流控制。
    - 笔记本适配器开关:提供可靠的电压转换和切换功能,以满足不同负载需求。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): -30V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): -1.0 ~ 2.5V
    - 漏极连续电流 \( ID \): -4.1A (TC=25°C), -2.2A (TA=25°C)
    - 击穿电压 \( BVDSS \): -30V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.033Ω (VGS=-10V, ID=-10A), 0.046Ω (VGS=-4.5V, ID=-8A)
    - 热性能
    - 最大结壳热阻 \( R{thJA} \): 38°C/W
    - 最大结到散热片热阻 \( R{thJF} \): 20°C/W
    - 电气特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1350pF (VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 255pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 190pF
    - 动态特性
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 13ns (VDD=-15V, RL=1.5Ω, ID≅-10A, VGEN=-10V, Rg=1Ω)
    - 关断延迟时间 \( td(off) \): 40ns (VDD=-15V, RL=1.5Ω, ID≅-10A, VGEN=-10V, Rg=1Ω)
    - 下降时间 \( tf \): 9ns (VDD=-15V, RL=1.5Ω, ID≅-10A, VGEN=-10V, Rg=1Ω)

    产品特点和优势


    1. 无卤素设计:采用无卤素材料,符合RoHS标准,更加环保。
    2. 高可靠性测试:100%进行栅极电阻(Rg)和单脉冲雪崩能量(EAS)测试,确保产品的高可靠性和稳定性。
    3. 低导通电阻:低至0.033Ω,可有效降低功率损耗,提高电路效率。
    4. 快速开关速度:具有优异的开关特性,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关应用:利用其低导通电阻和高效率特性,可以实现高效能的电流控制。适用于需要频繁开关的应用场合。
    - 笔记本适配器开关应用:在笔记本电脑的电源适配器中,可实现高效的电压转换和电流控制,确保设备的稳定运行。
    使用建议:
    - 由于其出色的导通电阻和开关特性,建议在高频开关应用中使用。同时,在设计PCB时需考虑合理的散热措施,确保器件在正常温度范围内运行。
    - 在实际应用中,需注意控制栅极驱动电压,避免超过额定值,从而延长器件寿命并保证可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的DPAK封装相兼容,适用于多种电路板设计。
    - 支持:由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 提供全面的技术支持和服务,包括产品咨询、设计支持和技术培训等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流下使用时,器件过热。
    - 解决方案:增加散热措施,如增加散热片或使用外部风扇冷却,以提高散热效果。
    2. 问题:无法达到预期的导通电阻。
    - 解决方案:检查栅极驱动电压是否正确,确保其在适当的电压范围内工作。
    3. 问题:开关过程中的振铃现象。
    - 解决方案:添加缓冲电路以减少振铃现象,确保电路稳定。

    总结和推荐


    综上所述,J382 MOSFET凭借其无卤素设计、高可靠性测试和低导通电阻等优势,在负载开关和笔记本适配器开关等领域具有广泛的应用前景。此外,台湾VBsemi提供的技术支持和完善的售后服务也为用户的实际应用提供了可靠的保障。因此,我们强烈推荐在高频开关应用中使用该产品。

J382-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 26A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J382-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J382-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J382-VB J382-VB数据手册

J382-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0